| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 引言 | 第8-10页 |
| 1 SnO_2的基本性质及研究进展 | 第10-21页 |
| 1.1 SnO_2的光学特性 | 第11-12页 |
| 1.2 SnO_2的电学特性 | 第12页 |
| 1.3 SnO_2的气敏特性 | 第12页 |
| 1.4 SnO_2薄膜的应用 | 第12-13页 |
| 1.5 SnO_2材料的研究进展 | 第13-19页 |
| 1.6 本论文的主要研究内容 | 第19-21页 |
| 2 SnO_2薄膜的制备方法和表征手段 | 第21-28页 |
| 2.1 SnO_2薄膜的几种制备方法 | 第21-23页 |
| 2.1.1 化学气相沉积（CVD） | 第21-22页 |
| 2.1.2 溶胶-凝胶（Sol-Gel） | 第22页 |
| 2.1.3 磁控溅射（Magnetron sputtering） | 第22-23页 |
| 2.2 主要表征方法 | 第23-28页 |
| 2.2.1 X 射线衍射（XRD） | 第23-24页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜（SEM） | 第24-25页 |
| 2.2.3 霍尔测量（Hall-effect measurement） | 第25-27页 |
| 2.2.4 光吸收谱（Absorption spectrum） | 第27-28页 |
| 3 不同 Sb 含量 p 型 SnO_2薄膜的制备和特性研究 | 第28-34页 |
| 3.1 实验过程 | 第28-29页 |
| 3.2 结构特性 | 第29-31页 |
| 3.3 电学性质 | 第31-32页 |
| 3.4 光学性质 | 第32-33页 |
| 3.5 小结 | 第33-34页 |
| 4 p-SnO_2/n-SnO_2同质 p-n 结的制备和研究 | 第34-41页 |
| 4.1 硅和蓝宝石衬底的介绍 | 第34-35页 |
| 4.2 p-SnO_2薄膜及 p-SnO_2/n-SnO_2同质结器件的制备 | 第35-36页 |
| 4.2.1 p-SnO_2薄膜制备过程 | 第35-36页 |
| 4.2.2 p-SnO_2/n-SnO_2同质结器件的制备过程 | 第36页 |
| 4.3 结构性质 | 第36-38页 |
| 4.4 电学性质 | 第38-39页 |
| 4.5 p-SnO_2/n-SnO_2同质结器件 I-V 特性研究 | 第39页 |
| 4.6 小结 | 第39-41页 |
| 结论 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-45页 |
| 攻读硕士期间取得的成果 | 第45-46页 |
| 致谢 | 第46页 |
