| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 纳米技术 | 第10-11页 |
| 1.2 纳米材料 | 第11-12页 |
| 1.3 ZnO 纳米半导体材料 | 第12-14页 |
| 1.3.1 ZnO 的基本性质 | 第12-13页 |
| 1.3.2 ZnO 的发展与应用 | 第13-14页 |
| 1.3.3 ZnO 纳米结构的实验制备方法 | 第14页 |
| 1.4 半导体异质结 | 第14-19页 |
| 1.4.1 无机/有机半导体异质结的研究的最新进展 | 第16-17页 |
| 1.4.2 论文选用的有机半导体材料的特性 | 第17-18页 |
| 1.4.3 无机/有机半导体异质结研究中存在的问题 | 第18-19页 |
| 1.5 本论文的研究意义与内容 | 第19-22页 |
| 1.5.1 论文的研究意义 | 第19页 |
| 1.5.2 论文的研究内容 | 第19-20页 |
| 1.5.3 论文的创新点及研究价值 | 第20-22页 |
| 2 取向 ZnO 半导体纳米线阵列的制备及生长机制 | 第22-32页 |
| 2.1 引言 | 第22页 |
| 2.2 水热法制备 ZnO 纳米材料 | 第22页 |
| 2.3 水热法制备 ZnO 的实验过程 | 第22-24页 |
| 2.3.1 实验过程 | 第22-23页 |
| 2.3.2 表征仪器 | 第23-24页 |
| 2.4 ZnO 纳米线的表征与分析 | 第24-30页 |
| 2.4.1 ZnO 纳米线的生长机制 | 第24-26页 |
| 2.4.2 ZnO 纳米线形貌的影响 | 第26-27页 |
| 2.4.3 ZnO 纳米线的 XRD 表征 | 第27-28页 |
| 2.4.4 ZnO 纳米线的 PL 谱表征 | 第28-30页 |
| 2.5 退火对 ZnO 纳米线阵列的影响 | 第30-31页 |
| 2.6 小结 | 第31-32页 |
| 3 纳米线结构 ZnO/PFO 及 ZnO/NPB 异质结器件的制备及特性 | 第32-41页 |
| 3.1 无机/有机结构半导体异质结的优势 | 第32页 |
| 3.2 纳米线结构 ZnO/PFO 及 ZnO/NPB 异质结器件的制备 | 第32-33页 |
| 3.2.1 实验过程 | 第32-33页 |
| 3.2.2 实验设备与表征仪器 | 第33页 |
| 3.3 纳米线结构 ZnO/PFO 及 ZnO/NPB 异质结器件的形貌 | 第33-35页 |
| 3.3.1 纳米线结构异质结器件的形貌特性 | 第34-35页 |
| 3.4 纳米线结构 ZnO/PFO 及 ZnO/NPB 异质结器件的 IV 特性 | 第35-39页 |
| 3.4.1 ZnO 纳米线对异质结器件 IV 特性的影响 | 第35-38页 |
| 3.4.2 有机薄膜厚度对异质结器件 IV 特性的影响 | 第38-39页 |
| 3.4.3 异质结器件的光电特性 | 第39页 |
| 3.5 小结 | 第39-41页 |
| 4 薄膜型 ZnO/PFO 及 ZnO/NPB 异质结器件的制备及特性 | 第41-49页 |
| 4.1 薄膜型 ZnO/PFO 及 ZnO/NPB 异质结的制备与分析 | 第41-42页 |
| 4.1.1 制备薄膜型异质结器件的实验过程 | 第41-42页 |
| 4.1.2 薄膜型异质结器件的生长设备与分析仪器 | 第42页 |
| 4.2 薄膜型 ZnO/PFO 及 ZnO/NPB 异质结器件的微观形貌 | 第42-44页 |
| 4.2.1 磁控溅射法制备 ZnO 纳米薄膜的形貌与晶体结构 | 第42-43页 |
| 4.2.2 薄膜型异质结器件的形貌特性 | 第43-44页 |
| 4.3 薄膜型 ZnO/PFO 及 ZnO/NPB 异质结的 IV 特性 | 第44-48页 |
| 4.3.1 ZnO 膜层厚度对薄膜型异质结器的 IV 特性的影响 | 第44-45页 |
| 4.3.2 有机膜层厚度对薄膜型异质结器件 IV 特性的影响 | 第45-47页 |
| 4.3.3 薄膜型异质结器件的光电特性 | 第47-48页 |
| 4.4 小结 | 第48-49页 |
| 结论 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54页 |
