| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第14-31页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第14-15页 |
| 1.2 电镀铜工艺的发展概况 | 第15-22页 |
| 1.2.1 常规电镀铜体系和工艺 | 第16-20页 |
| 1.2.2 印制板电镀铜发展概况 | 第20-22页 |
| 1.3 PCB 直流电镀铜添加剂研究现状 | 第22-26页 |
| 1.3.1 PCB 电镀铜添加剂的发展 | 第22-25页 |
| 1.3.2 PCB 镀铜添加剂机理的研究进展 | 第25-26页 |
| 1.4 分子动力学模拟和量子化学计算概况 | 第26-29页 |
| 1.4.1 量子化学计算方法 | 第27-28页 |
| 1.4.2 分子动力学模拟方法 | 第28-29页 |
| 1.5 本文的主要研究内容 | 第29-31页 |
| 第2章 实验材料和研究方法 | 第31-38页 |
| 2.1 实验药品和所用仪器 | 第31-32页 |
| 2.1.1 实验药品 | 第31-32页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第32页 |
| 2.2 PCB 通孔电镀铜工艺 | 第32-34页 |
| 2.2.1 镀液配制方法 | 第32-33页 |
| 2.2.2 PCB 通孔电镀前处理 | 第33页 |
| 2.2.3 PCB 通孔电镀实验装置 | 第33-34页 |
| 2.2.4 电镀工艺流程 | 第34页 |
| 2.3 分子动力学模拟与理论计算 | 第34-35页 |
| 2.3.1 分子动力学模拟 | 第34-35页 |
| 2.3.2 量子化学计算 | 第35页 |
| 2.4 镀层性能和添加剂性能表征 | 第35-38页 |
| 2.4.1 PCB 孔内镀层厚度检测 | 第35-36页 |
| 2.4.2 镀层外观和微观形貌表征 | 第36页 |
| 2.4.3 添加剂在铜表面的吸附性能表征 | 第36-37页 |
| 2.4.4 电化学分析 | 第37-38页 |
| 第3章 通孔电镀铜添加剂的选择和预测与体系设计 | 第38-63页 |
| 3.1 通孔电镀铜抑制剂和促进剂的选择 | 第38-43页 |
| 3.1.1 抑制剂的确定 | 第38-39页 |
| 3.1.2 促进剂的确定 | 第39-43页 |
| 3.2 通孔镀铜整平剂吸附行为的分子动力学模拟 | 第43-58页 |
| 3.2.1 整平剂的初步筛选 | 第44-45页 |
| 3.2.2 PP14Br 的分子动力学模拟 | 第45-49页 |
| 3.2.3 NTBC 的分子动力学模拟 | 第49-53页 |
| 3.2.4 JGB 与 ST 的分子动力学模拟 | 第53-58页 |
| 3.3 单一添加剂条件下的通孔电镀 | 第58-61页 |
| 3.3.1 SH110 的分子动力学模拟 | 第58-60页 |
| 3.3.2 SH110 的浓度选择 | 第60-61页 |
| 3.4 通孔镀铜添加剂体系的设计 | 第61-62页 |
| 3.4.1 促进剂-抑制剂-整平剂体系 | 第61页 |
| 3.4.2 促进剂-抑制剂-走位剂体系 | 第61-62页 |
| 3.5 本章小结 | 第62-63页 |
| 第4章 添加剂的作用效果研究 | 第63-89页 |
| 4.1 厚径比为 5 的通孔电镀 | 第63-67页 |
| 4.1.1 使用基础镀液电镀效果 | 第63-64页 |
| 4.1.2 使用 SH110 作为单一添加剂电镀效果 | 第64-67页 |
| 4.2 厚径比为 10 的通孔电镀 | 第67-83页 |
| 4.2.1 使用基础镀液电镀效果 | 第67-69页 |
| 4.2.2 使用 SH110-PEG 体系添加剂电镀效果 | 第69-71页 |
| 4.2.3 使用 SH110-PEG-PP14Br 体系添加剂电镀效果 | 第71-75页 |
| 4.2.4 使用 SH110-PEG-NTBC 体系添加剂电镀效果 | 第75-76页 |
| 4.2.5 使用 SH110-PEG-ST 体系添加剂电镀效果 | 第76-79页 |
| 4.2.6 使用 SH110-PEG-JGB 体系添加剂电镀效果 | 第79-80页 |
| 4.2.7 使用 SH110-PEG-走位剂体系添加剂电镀效果 | 第80-83页 |
| 4.3 厚径比为 20 的通孔电镀 | 第83-87页 |
| 4.3.1 使用 SH110-PEG-NTBC 体系添加剂电镀效果 | 第83-85页 |
| 4.3.2 使用 SH110-PEG-PP14Br 体系添加剂电镀效果 | 第85-87页 |
| 4.4 本章小结 | 第87-89页 |
| 第5章 添加剂在通孔电镀中的作用机理分析 | 第89-113页 |
| 5.1 SH110 单一添加剂在封孔电镀中的作用机理 | 第89-91页 |
| 5.1.1 SH110 在铜表面的吸附行为 | 第89-90页 |
| 5.1.2 SH110 的电化学行为 | 第90-91页 |
| 5.2 SH110-PEG-PP14BR 体系的作用机理 | 第91-94页 |
| 5.2.1 动电位方法研究添加剂的电化学行为 | 第92页 |
| 5.2.2 恒流方法研究添加剂的电化学行为 | 第92-94页 |
| 5.3 SH110-PEG-NTBC 体系的作用机理 | 第94-98页 |
| 5.3.1 NTBC 在铜表面的吸附行为 | 第95-97页 |
| 5.3.2 NTBC 的电化学行为 | 第97-98页 |
| 5.4 SH110-PEG-JGB/ST 体系的作用机理 | 第98-109页 |
| 5.4.1 SH110-PEG-JGB/ST 的电化学行为 | 第98-103页 |
| 5.4.2 量子化学方法计算分析 JGB 和 ST 的不同作用 | 第103-109页 |
| 5.5 SH110-PEG-AEO 体系的作用机理 | 第109-112页 |
| 5.6 本章小结 | 第112-113页 |
| 结论 | 第113-114页 |
| 创新点 | 第114页 |
| 展望 | 第114-116页 |
| 参考文献 | 第116-126页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第126-128页 |
| 致谢 | 第128-129页 |
| 个人简历 | 第129页 |
