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PCB通孔电镀铜添加剂的分子模拟及其作用机制的研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第1章 绪论第14-31页
    1.1 课题背景及研究的目的和意义第14-15页
    1.2 电镀铜工艺的发展概况第15-22页
        1.2.1 常规电镀铜体系和工艺第16-20页
        1.2.2 印制板电镀铜发展概况第20-22页
    1.3 PCB 直流电镀铜添加剂研究现状第22-26页
        1.3.1 PCB 电镀铜添加剂的发展第22-25页
        1.3.2 PCB 镀铜添加剂机理的研究进展第25-26页
    1.4 分子动力学模拟和量子化学计算概况第26-29页
        1.4.1 量子化学计算方法第27-28页
        1.4.2 分子动力学模拟方法第28-29页
    1.5 本文的主要研究内容第29-31页
第2章 实验材料和研究方法第31-38页
    2.1 实验药品和所用仪器第31-32页
        2.1.1 实验药品第31-32页
        2.1.2 实验仪器第32页
    2.2 PCB 通孔电镀铜工艺第32-34页
        2.2.1 镀液配制方法第32-33页
        2.2.2 PCB 通孔电镀前处理第33页
        2.2.3 PCB 通孔电镀实验装置第33-34页
        2.2.4 电镀工艺流程第34页
    2.3 分子动力学模拟与理论计算第34-35页
        2.3.1 分子动力学模拟第34-35页
        2.3.2 量子化学计算第35页
    2.4 镀层性能和添加剂性能表征第35-38页
        2.4.1 PCB 孔内镀层厚度检测第35-36页
        2.4.2 镀层外观和微观形貌表征第36页
        2.4.3 添加剂在铜表面的吸附性能表征第36-37页
        2.4.4 电化学分析第37-38页
第3章 通孔电镀铜添加剂的选择和预测与体系设计第38-63页
    3.1 通孔电镀铜抑制剂和促进剂的选择第38-43页
        3.1.1 抑制剂的确定第38-39页
        3.1.2 促进剂的确定第39-43页
    3.2 通孔镀铜整平剂吸附行为的分子动力学模拟第43-58页
        3.2.1 整平剂的初步筛选第44-45页
        3.2.2 PP14Br 的分子动力学模拟第45-49页
        3.2.3 NTBC 的分子动力学模拟第49-53页
        3.2.4 JGB 与 ST 的分子动力学模拟第53-58页
    3.3 单一添加剂条件下的通孔电镀第58-61页
        3.3.1 SH110 的分子动力学模拟第58-60页
        3.3.2 SH110 的浓度选择第60-61页
    3.4 通孔镀铜添加剂体系的设计第61-62页
        3.4.1 促进剂-抑制剂-整平剂体系第61页
        3.4.2 促进剂-抑制剂-走位剂体系第61-62页
    3.5 本章小结第62-63页
第4章 添加剂的作用效果研究第63-89页
    4.1 厚径比为 5 的通孔电镀第63-67页
        4.1.1 使用基础镀液电镀效果第63-64页
        4.1.2 使用 SH110 作为单一添加剂电镀效果第64-67页
    4.2 厚径比为 10 的通孔电镀第67-83页
        4.2.1 使用基础镀液电镀效果第67-69页
        4.2.2 使用 SH110-PEG 体系添加剂电镀效果第69-71页
        4.2.3 使用 SH110-PEG-PP14Br 体系添加剂电镀效果第71-75页
        4.2.4 使用 SH110-PEG-NTBC 体系添加剂电镀效果第75-76页
        4.2.5 使用 SH110-PEG-ST 体系添加剂电镀效果第76-79页
        4.2.6 使用 SH110-PEG-JGB 体系添加剂电镀效果第79-80页
        4.2.7 使用 SH110-PEG-走位剂体系添加剂电镀效果第80-83页
    4.3 厚径比为 20 的通孔电镀第83-87页
        4.3.1 使用 SH110-PEG-NTBC 体系添加剂电镀效果第83-85页
        4.3.2 使用 SH110-PEG-PP14Br 体系添加剂电镀效果第85-87页
    4.4 本章小结第87-89页
第5章 添加剂在通孔电镀中的作用机理分析第89-113页
    5.1 SH110 单一添加剂在封孔电镀中的作用机理第89-91页
        5.1.1 SH110 在铜表面的吸附行为第89-90页
        5.1.2 SH110 的电化学行为第90-91页
    5.2 SH110-PEG-PP14BR 体系的作用机理第91-94页
        5.2.1 动电位方法研究添加剂的电化学行为第92页
        5.2.2 恒流方法研究添加剂的电化学行为第92-94页
    5.3 SH110-PEG-NTBC 体系的作用机理第94-98页
        5.3.1 NTBC 在铜表面的吸附行为第95-97页
        5.3.2 NTBC 的电化学行为第97-98页
    5.4 SH110-PEG-JGB/ST 体系的作用机理第98-109页
        5.4.1 SH110-PEG-JGB/ST 的电化学行为第98-103页
        5.4.2 量子化学方法计算分析 JGB 和 ST 的不同作用第103-109页
    5.5 SH110-PEG-AEO 体系的作用机理第109-112页
    5.6 本章小结第112-113页
结论第113-114页
创新点第114页
展望第114-116页
参考文献第116-126页
攻读博士学位期间发表的论文及其它成果第126-128页
致谢第128-129页
个人简历第129页

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