| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| 1.1 论文的研究背景及意义 | 第7-8页 |
| 1.2 国内外发展现状及趋势 | 第8-9页 |
| 1.3 本文主要内容 | 第9页 |
| 1.4 本文内容安排 | 第9-11页 |
| 第二章 金属-半导体欧姆接触 | 第11-25页 |
| 2.1 A 类欧姆接触 | 第11-16页 |
| 2.1.1 金属的功函数 | 第11-13页 |
| 2.1.2 表面态 | 第13-14页 |
| 2.1.3 镜像力 | 第14-16页 |
| 2.2 B 类欧姆接触 | 第16-18页 |
| 2.3 GaAs 半导体激光器的欧姆接触 | 第18-25页 |
| 2.3.1 欧姆接触金属体系的选择 | 第19-21页 |
| 2.3.2 金属合金 | 第21-25页 |
| 第三章 GaAs 半导体激光器的电极制备 | 第25-37页 |
| 3.1 GaAs 半导体激光器的结构原理 | 第25-28页 |
| 3.1.1 半导体激光产生的原理 | 第25-26页 |
| 3.1.2 条形激光器 | 第26-27页 |
| 3.1.3 GaAs 激光器的制备工艺 | 第27-28页 |
| 3.2 电极制备工艺流程 | 第28-37页 |
| 3.2.1 界面清洗处理 | 第29-30页 |
| 3.2.2 光刻 | 第30-31页 |
| 3.2.3 金属电极沉积 | 第31-34页 |
| 3.2.4 剥离成形 | 第34页 |
| 3.2.5 减薄 | 第34-35页 |
| 3.2.6 合金 | 第35-37页 |
| 第四章 GaAs 半导体激光器的欧姆接触电极研究实验 | 第37-51页 |
| 4.1 比接触电阻 | 第37-40页 |
| 4.1.1 矩形传输线模型 | 第38-39页 |
| 4.1.2 圆形传输线法 | 第39-40页 |
| 4.2 欧姆接触试验研究 | 第40-51页 |
| 4.2.1 欧姆接触试验设计方案 | 第40-42页 |
| 4.2.2 欧姆接触试验设备 | 第42-43页 |
| 4.2.3 欧姆接触试验过程 | 第43-44页 |
| 4.2.4 试验结果及分析 | 第44-49页 |
| 4.2.5 结论 | 第49-51页 |
| 第五章 总结 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |