| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第12-23页 |
| 1.1 选题背景 | 第12-13页 |
| 1.2 引线键合技术简介 | 第13-15页 |
| 1.2.1 引线键合技术分类与特点 | 第13-14页 |
| 1.2.2 键合用金属丝 | 第14-15页 |
| 1.2.3 引线键合技术的优点及应用 | 第15页 |
| 1.3 引线键合存在的问题 | 第15-19页 |
| 1.3.1 引线键合的冶金系统 | 第16-19页 |
| 1.3.2 键合系统可靠性改进措施 | 第19页 |
| 1.4 Al/Cu 层状复合材料的研究现状 | 第19-22页 |
| 1.4.1 Al//Cu 复合材料的制备方法 | 第20-21页 |
| 1.4.2 Al-Cu 键合的稳定性问题 | 第21-22页 |
| 1.5 本课题的研究意义与主要内容 | 第22-23页 |
| 第2章 实验方法 | 第23-27页 |
| 2.1 Cu 衬底材料的预处理 | 第23页 |
| 2.2 Al/Cu 复合片的制备方法 | 第23-25页 |
| 2.2.1 磁控溅射镀膜 | 第23-24页 |
| 2.2.2 电子束蒸发镀膜 | 第24-25页 |
| 2.3 Al/Cu 复合材料结构和性能表征方法 | 第25-27页 |
| 2.3.1 X 射线衍射分析 | 第25页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜分析 | 第25页 |
| 2.3.3 金相显微镜 | 第25-26页 |
| 2.3.4 电阻测试仪 | 第26页 |
| 2.3.5 拉脱实验 | 第26页 |
| 2.3.6 温度循环试验 | 第26-27页 |
| 第3章 Al/Cu 复合材料的制备及性能表征 | 第27-48页 |
| 3.1 Al 膜沉积方法的选择 | 第27-31页 |
| 3.1.1 磁控溅射法制备 Al/Cu 复合材料 | 第27-29页 |
| 3.1.2 电子束蒸发制备 Al/Cu 复合材料 | 第29-31页 |
| 3.2 Al 膜沉积速率对 Al/Cu 复合材料结构和性能的影响 | 第31-35页 |
| 3.2.1 Al 膜沉积速率对 Al/Cu 复合材料微观结构的影响 | 第31-33页 |
| 3.2.2 沉积速率对 Al/Cu 复合材料电性能的影响 | 第33-35页 |
| 3.3 Al 膜厚度对 Al/Cu 复合材料电性能的影响 | 第35-38页 |
| 3.4 衬底温度对 Al/Cu 复合材料结构和电性能的影响 | 第38-43页 |
| 3.5 Al/Cu 复合材料界面结合强度 | 第43-45页 |
| 3.6 Cu 衬底上 Al 膜应力分析 | 第45-46页 |
| 3.7 小结 | 第46-48页 |
| 第4章 Ti 过渡层对 Al/Cu 复合材料结构和性能的影响 | 第48-57页 |
| 4.1 热处理过程中 Al-Cu 金属间化合物形成规律 | 第48-52页 |
| 4.1.1 热处理温度对 Al-Cu 金属间化合物形成的影响 | 第48-51页 |
| 4.1.2 热处理时间对 Al-Cu 金属间化合物形成的影响 | 第51-52页 |
| 4.2 扩散阻挡层金属的选择 | 第52-54页 |
| 4.3 Ti 对 Al/Cu 金属间化合物的抑制作用 | 第54-56页 |
| 4.4 小结 | 第56-57页 |
| 第5章 Al/Cu 键合垫片冲压成型 | 第57-65页 |
| 5.1 Al/Cu 复合垫片的基本要求 | 第57-58页 |
| 5.2 Al/Cu 键合垫片的冲压工艺探索 | 第58-60页 |
| 5.3 冲裁间隙 | 第60-62页 |
| 5.3.1 冲裁间隙对产品表面质量的影响 | 第60-61页 |
| 5.3.2 冲裁间隙的确定 | 第61-62页 |
| 5.4 冲压过程模拟 | 第62-64页 |
| 5.5 工作展望 | 第64-65页 |
| 结论 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 附录A 攻读学位期间所发表的学术论文目录 | 第73页 |
