| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第13-20页 |
| 1.1 引言 | 第13-14页 |
| 1.2 ZnS的晶体结构、合成方法和用途 | 第14-16页 |
| 1.2.1 ZnS的晶体结构 | 第14页 |
| 1.2.2 ZnS的合成方法 | 第14-16页 |
| 1.3 MoS_2的晶体结构、合成方法和用途 | 第16-18页 |
| 1.3.1 MoS_2的晶体结构 | 第16-17页 |
| 1.3.2 MoS_2的合成方法 | 第17页 |
| 1.3.3 MoS_2的应用 | 第17-18页 |
| 1.4 课题的意义和内容 | 第18-20页 |
| 第2章 计算原理与方法 | 第20-27页 |
| 2.1 引言 | 第20页 |
| 2.2 计算原理 | 第20-24页 |
| 2.2.1 第一性原理 | 第20-21页 |
| 2.2.2 密度泛函理论 | 第21-23页 |
| 2.2.3 密度泛函理论计算方法 | 第23-24页 |
| 2.3 计算机软件系统 | 第24页 |
| 2.4 计算机模拟的优势和局限性 | 第24-25页 |
| 2.5 计算方案 | 第25-26页 |
| 2.6 本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 补偿型共掺ZnS光电性质的第一性原理计算 | 第27-38页 |
| 3.1 引言 | 第27-28页 |
| 3.2 理论模型和计算细节 | 第28-29页 |
| 3.2.1 理论模型 | 第28-29页 |
| 3.2.2 计算模型 | 第29页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第29-36页 |
| 3.3.1 结构优化 | 第29-30页 |
| 3.3.2 缺陷形成能 | 第30-31页 |
| 3.3.3 电子结构 | 第31-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-38页 |
| 第4章 补偿型共掺1H-MoS_2带结构工程的第一性原理计算 | 第38-50页 |
| 4.1 引言 | 第38-39页 |
| 4.2 理论模型和计算方法 | 第39-40页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第40-49页 |
| 4.3.1 结构弛豫和杂质形成能 | 第40-43页 |
| 4.3.2 杂质形成能 | 第43-44页 |
| 4.3.3 能带结构 | 第44-48页 |
| 4.3.4 能带结构 | 第48-49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 总结与展望 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-62页 |
| 附录A 攻读硕士学位期间发表论文 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |