摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第10-15页 |
1.1 a-IGZO薄膜晶体管简介 | 第10-11页 |
1.2 a-IGZO薄膜晶体管电路研究现状 | 第11-12页 |
1.3 基于a-IGZO TFTs的射频识别标签研究现状 | 第12-13页 |
1.4 研究内容和论文结构 | 第13-15页 |
第二章 单极型晶体管基本电路 | 第15-30页 |
2.1 基本单极型反相器 | 第15-19页 |
2.1.1 零点连接反相器 | 第15-17页 |
2.1.2 二极管连接反相器 | 第17-18页 |
2.1.3 两种反相器讨论 | 第18-19页 |
2.2 逻辑单元电路设计 | 第19-21页 |
2.2.1 电平位移反相器 | 第19-20页 |
2.2.2 伪CMOS反相器 | 第20-21页 |
2.3 基本门电路-与非门和或非门 | 第21-22页 |
2.4 触发器 | 第22-29页 |
2.4.1 触发器结构优化 | 第23-24页 |
2.4.2 触发器门电路优化 | 第24-26页 |
2.4.3 触发器的性能对比 | 第26-29页 |
2.5 本章总结 | 第29-30页 |
第三章 射频识别标签存储读取电路 | 第30-48页 |
3.1 环行振荡器 | 第30-36页 |
3.1.1 现有的环行振荡器设计 | 第30-33页 |
3.1.2 反馈伪D环形振荡器 | 第33-34页 |
3.1.3 环形振荡器性能对比 | 第34-36页 |
3.2 存储电路 | 第36-37页 |
3.3 读取电路 | 第37-44页 |
3.3.1 现有的标签读取电路 | 第38-40页 |
3.3.2 Johnson计数器-译码器读取电路设计 | 第40-41页 |
3.3.3 译码器中门电路的优化 | 第41-43页 |
3.3.4 Johnson计数器-译码器读取电路的性能验证 | 第43-44页 |
3.4 曼切斯特编码电路 | 第44-46页 |
3.5 上电复位电路 | 第46-47页 |
3.6 本章总结 | 第47-48页 |
第四章 环行振荡器和读取电路的性能测评 | 第48-58页 |
4.1 环行振荡器性能测评 | 第48-53页 |
4.1.1 环行振荡器性能和供电电压的关系 | 第48-50页 |
4.1.2 反馈伪D方案振荡频率和晶体管T4管宽的关系 | 第50页 |
4.1.3 反馈伪D环形振荡器性能和附加供电电压的关系 | 第50-52页 |
4.1.4 时钟产生电路 | 第52-53页 |
4.2 存储读取电路性能测评 | 第53-55页 |
4.3 利用动态负载触发器对读取电路的功耗优化 | 第55-56页 |
4.4 RFID标签的数字电路仿真 | 第56-57页 |
4.5 本章总结 | 第57-58页 |
总结和展望 | 第58-60页 |
参考文献 | 第60-65页 |
攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第65-66页 |
致谢 | 第66-67页 |
附件 | 第67页 |