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基于非晶氧化物薄膜晶体管的标签存储读取电路设计

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第10-15页
    1.1 a-IGZO薄膜晶体管简介第10-11页
    1.2 a-IGZO薄膜晶体管电路研究现状第11-12页
    1.3 基于a-IGZO TFTs的射频识别标签研究现状第12-13页
    1.4 研究内容和论文结构第13-15页
第二章 单极型晶体管基本电路第15-30页
    2.1 基本单极型反相器第15-19页
        2.1.1 零点连接反相器第15-17页
        2.1.2 二极管连接反相器第17-18页
        2.1.3 两种反相器讨论第18-19页
    2.2 逻辑单元电路设计第19-21页
        2.2.1 电平位移反相器第19-20页
        2.2.2 伪CMOS反相器第20-21页
    2.3 基本门电路-与非门和或非门第21-22页
    2.4 触发器第22-29页
        2.4.1 触发器结构优化第23-24页
        2.4.2 触发器门电路优化第24-26页
        2.4.3 触发器的性能对比第26-29页
    2.5 本章总结第29-30页
第三章 射频识别标签存储读取电路第30-48页
    3.1 环行振荡器第30-36页
        3.1.1 现有的环行振荡器设计第30-33页
        3.1.2 反馈伪D环形振荡器第33-34页
        3.1.3 环形振荡器性能对比第34-36页
    3.2 存储电路第36-37页
    3.3 读取电路第37-44页
        3.3.1 现有的标签读取电路第38-40页
        3.3.2 Johnson计数器-译码器读取电路设计第40-41页
        3.3.3 译码器中门电路的优化第41-43页
        3.3.4 Johnson计数器-译码器读取电路的性能验证第43-44页
    3.4 曼切斯特编码电路第44-46页
    3.5 上电复位电路第46-47页
    3.6 本章总结第47-48页
第四章 环行振荡器和读取电路的性能测评第48-58页
    4.1 环行振荡器性能测评第48-53页
        4.1.1 环行振荡器性能和供电电压的关系第48-50页
        4.1.2 反馈伪D方案振荡频率和晶体管T4管宽的关系第50页
        4.1.3 反馈伪D环形振荡器性能和附加供电电压的关系第50-52页
        4.1.4 时钟产生电路第52-53页
    4.2 存储读取电路性能测评第53-55页
    4.3 利用动态负载触发器对读取电路的功耗优化第55-56页
    4.4 RFID标签的数字电路仿真第56-57页
    4.5 本章总结第57-58页
总结和展望第58-60页
参考文献第60-65页
攻读硕士学位期间取得的研究成果第65-66页
致谢第66-67页
附件第67页

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