| 中文摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 前言 | 第10-28页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 电存储材料的类型和发展现状 | 第11-21页 |
| 1.2.1 聚合物存储器件 | 第11-13页 |
| 1.2.2 有机小分子器件 | 第13-18页 |
| 1.2.3 无机材料存储器件 | 第18-20页 |
| 1.2.4 有机/无机杂化存储器件 | 第20-21页 |
| 1.3 有机/无机材料不同堆积对器件性能优化的探索 | 第21-25页 |
| 1.3.1 分子基团改变对堆积的影响 | 第21-23页 |
| 1.3.2 旋涂速率对堆积的影响 | 第23-24页 |
| 1.3.3 界面调控对堆积的影响 | 第24-25页 |
| 1.4 论文选题的意义和研究内容 | 第25-28页 |
| 1.4.1 论文选题的意义 | 第25-26页 |
| 1.4.2 本论文研究内容 | 第26页 |
| 1.4.3 本论文的创新点 | 第26-28页 |
| 第二章 三苯胺作为分子桥键对电存储器件的负面影响 | 第28-43页 |
| 2.1 引言 | 第28-30页 |
| 2.2 实验部分 | 第30-33页 |
| 2.2.1 试剂 | 第30页 |
| 2.2.2 测试仪器 | 第30页 |
| 2.2.3 ZIPGA和ZIPCAD的合成 | 第30-33页 |
| 2.2.4 三明治器件制备 | 第33页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第33-42页 |
| 2.3.1 热稳定性 | 第33-34页 |
| 2.3.2 光学和电化学性能 | 第34-37页 |
| 2.3.3 器件性能 | 第37-39页 |
| 2.3.4 薄膜形态和分子形态 | 第39-40页 |
| 2.3.5 机理解释 | 第40-42页 |
| 2.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第三章 基于外消旋效应提高有机电存储器件性能 | 第43-52页 |
| 3.1 引言 | 第43-45页 |
| 3.2 实验部分 | 第45-46页 |
| 3.2.1 试剂 | 第45页 |
| 3.2.2 仪器 | 第45页 |
| 3.2.3 器件制备 | 第45-46页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第46-51页 |
| 3.3.1 器件性能 | 第46-49页 |
| 3.3.2 器件表征 | 第49-50页 |
| 3.3.3 机理解释 | 第50-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 钙钛矿材料在电存储器件中不同堆积间距产生的不同性能表现 | 第52-58页 |
| 4.1 引言 | 第52-53页 |
| 4.2 实验部分 | 第53-54页 |
| 4.2.1 试剂 | 第53页 |
| 4.2.2 仪器 | 第53页 |
| 4.2.3 器件制备 | 第53页 |
| 4.2.4 合成步骤 | 第53-54页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第54-57页 |
| 4.3.1 器件性能 | 第54-55页 |
| 4.3.2 材料表征 | 第55-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 结论与展望 | 第58-60页 |
| 5.1 本文总结 | 第58-59页 |
| 5.2 展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-77页 |
| 攻读学位期间论文发表和整理情况 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |