钛酸铜钙作为电致发光器件绝缘层的研究
中文摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-8页 |
第一章 绪论 | 第12-28页 |
1.1 引言 | 第12-13页 |
1.2 电致发光的研究历程 | 第13-14页 |
1.3 电致发光器件的结构和原理 | 第14-19页 |
1.3.1 电致发光的理论基础 | 第14-15页 |
1.3.1.1 能带理论 | 第14-15页 |
1.3.1.2 定域能级理论 | 第15页 |
1.3.2 低场电致发光原理 | 第15-16页 |
1.3.3 高场电致发光原理 | 第16-19页 |
1.3.3.1 MIS结构薄膜电致发光器件 | 第16-18页 |
1.3.3.2 MISIM结构薄膜电致发光器件 | 第18-19页 |
1.4 电致发光器件的发光特性 | 第19-22页 |
1.4.1 亮度-电压关系 | 第19-20页 |
1.4.2 发光效率 | 第20-21页 |
1.4.3 老化性能 | 第21页 |
1.4.4 亮度-频率关系 | 第21-22页 |
1.5 无机薄膜电致发光器件的材料 | 第22-26页 |
1.5.1 发光层材料 | 第22-23页 |
1.5.1.1 红色发光材料 | 第22-23页 |
1.5.1.2 绿色发光材料 | 第23页 |
1.5.1.3 蓝色发光材料 | 第23页 |
1.5.1.4 白色发光材料 | 第23页 |
1.5.2 绝缘层材料 | 第23-25页 |
1.5.2.1 绝缘层的作用和要求 | 第23-24页 |
1.5.2.2 常用的绝缘层材料 | 第24-25页 |
1.5.3 透明电极 | 第25-26页 |
1.5.3.1 氧化铟基薄膜 | 第25页 |
1.5.3.2 氧化锡基薄膜 | 第25页 |
1.5.3.3 氧化锌基薄膜 | 第25-26页 |
1.6 无机薄膜电致发光存在的问题和发展趋势 | 第26页 |
1.7 本文的研究 | 第26-28页 |
第二章 钛酸铜钙的合成和表征 | 第28-44页 |
2.1 介电原理 | 第28-31页 |
2.1.1 电极化 | 第28-30页 |
2.1.1.1 电子位移极化 | 第28页 |
2.1.1.2 离子位移极化 | 第28-29页 |
2.1.1.3 偶极子转向极化 | 第29页 |
2.1.1.4 热离子松弛极化 | 第29页 |
2.1.1.5 空间电荷极化 | 第29-30页 |
2.1.2 电损耗 | 第30-31页 |
2.1.2.1 电导损耗 | 第30页 |
2.1.2.2 松弛极化损耗 | 第30-31页 |
2.1.2.3 谐振损耗 | 第31页 |
2.2 钛酸铜钙简介 | 第31-35页 |
2.2.1 钛酸铜钙的高介电性能 | 第31-32页 |
2.2.2 钛酸铜钙高介电性能的理论模型 | 第32-34页 |
2.2.2.1 应力分析法 | 第32-33页 |
2.2.2.2 量子力学分析法 | 第33页 |
2.2.2.3 内部阻挡层电容分析法 | 第33-34页 |
2.2.2.4 光电导分析法 | 第34页 |
2.2.3 钛酸铜钙的一般合成方法 | 第34-35页 |
2.3 溶胶-凝胶法合成钛酸铜钙 | 第35-37页 |
2.4 结果和讨论 | 第37-42页 |
2.4.1 干凝胶前体的灼烧过程 | 第37-38页 |
2.4.2 灼烧温度、时间和反应酸度的影响 | 第38-40页 |
2.4.3 钛酸铜钙陶瓷的结构和介电性能 | 第40-42页 |
2.5 本章小结 | 第42-44页 |
第三章 多层薄膜的制备和表征 | 第44-56页 |
3.1 常用的无机薄膜制备方法 | 第44-46页 |
3.1.1 真空蒸发沉积 | 第44页 |
3.1.2 溅射沉积 | 第44-45页 |
3.1.3 分子束外延 | 第45页 |
3.1.4 脉冲激光沉积 | 第45页 |
3.1.5 化学气相沉积 | 第45-46页 |
3.1.6 溶胶-凝胶法 | 第46页 |
3.2 脉冲激光沉积法制备多层膜 | 第46-48页 |
3.3 结果和讨论 | 第48-54页 |
3.3.1 多层膜结构 | 第48-51页 |
3.3.2 电性能 | 第51-54页 |
3.4 本章小结 | 第54-56页 |
全文总结 | 第56-57页 |
参考文献 | 第57-60页 |
攻读硕士学位期间公开发表的论文 | 第60-61页 |
致谢 | 第61-62页 |