| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 引言 | 第11-13页 |
| 第一章 文献综述 | 第13-30页 |
| 1.1 FLASH简介 | 第13-19页 |
| 1.1.1 Flash 的发展历史 | 第13-14页 |
| 1.1.2 Flash 的分类 | 第14-15页 |
| 1.1.3 Flash 的市场 | 第15-16页 |
| 1.1.4 NAND Flash 的结构 | 第16-17页 |
| 1.1.5 NAND Flash 的读，写，擦除的工作原理 | 第17-19页 |
| 1.2 光刻及蚀刻工艺技术的简介 | 第19-30页 |
| 1.2.1 光刻的基本原理 | 第19-21页 |
| 1.2.2 光刻机的发展及趋势 | 第21-22页 |
| 1.2.4 光罩PSM 和OPC 技术的应用 | 第22-25页 |
| 1.2.5 蚀刻的基本原理 | 第25-27页 |
| 1.2.5 蚀刻的应用 | 第27-30页 |
| 第二章 硬掩膜对多晶硅线线边缘粗糙度的改善 | 第30-48页 |
| 2.1 90NM NAND FLASH 光刻机型的选择 | 第30页 |
| 2.2 线边缘粗糙度的概念与硬掩膜的应用 | 第30-34页 |
| 2.2.1 线条边缘粗糙度的概念 | 第31-32页 |
| 2.2.2 硬掩膜在光刻的应用 | 第32-33页 |
| 2.2.3 硬掩膜在刻蚀的应用 | 第33页 |
| 2.2.4 硬掩膜在刻蚀的使用方法 | 第33-34页 |
| 2.3 90NM NAND FLASH硬掩膜选择实验方案 | 第34-47页 |
| 2.3.1 氮化硅对多晶硅线线边缘粗糙度的影响 | 第34-40页 |
| 2.3.2 HM(poly)对Poly 线LER 的影响 | 第40-47页 |
| 2.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第三章 优化OPC 进一步提高POLY 线均匀性 | 第48-56页 |
| 3.1 90NM NAND FLASH 的版图 | 第48页 |
| 3.2 多晶硅线在传统OPC 后的光罩尺寸 | 第48-50页 |
| 3.3 传统OPC 方法下的POLY线均匀性问题 | 第50-51页 |
| 3.4 MANUAL-OPC 修正BANK 内边缘WL 的CD | 第51-52页 |
| 3.5 在CELL 边缘加辅助 WL | 第52-54页 |
| 3.6 本章小结 | 第54-56页 |
| 第四章 实验结果对VT 影响的比较 | 第56-60页 |
| 4.1 测量VT的原理 | 第57页 |
| 4.2 POLY 线的均匀性的改善前后的VT 的均匀性比较 | 第57-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第64页 |
