| 摘要 | 第2-4页 |
| 英文摘要 | 第4-5页 |
| 第一章、引言 | 第10-13页 |
| 1.1 对多次散射及自屏蔽效应的修正及其他影响因素的模拟计算的意义 | 第10-11页 |
| 1.2 采用蒙特卡罗方法解决上述问题的可行性 | 第11页 |
| 1.3 本论文的结构安排及各章主要内容 | 第11-13页 |
| 第二章、蒙特卡罗方法概述 | 第13-23页 |
| 2.1 蒙特卡罗的基本思想及原理 | 第13-14页 |
| 2.1.1 基本思想 | 第13页 |
| 2.1.2 基本原理 | 第13-14页 |
| 2.2 蒙特卡罗解题的步骤 | 第14-15页 |
| 2.2.1 构造概率模型 | 第14页 |
| 2.2.2 从已知概率分进行抽样实验 | 第14页 |
| 2.2.3 建立各种估计量 | 第14-15页 |
| 2.3 蒙特卡罗方法的效率、收敛性、误差 | 第15-17页 |
| 2.4 蒙特卡罗方法的优点 | 第17-18页 |
| 2.4.1 可对实验模型进行任意设置 | 第17页 |
| 2.4.2 误差与维数无关 | 第17页 |
| 2.4.3 误差分析简单明了 | 第17-18页 |
| 2.5 蒙特卡罗方法的缺点 | 第18页 |
| 2.5.1 收敛速度慢 | 第18页 |
| 2.5.2 误差的概率性 | 第18页 |
| 2.5.3 计算结果与系统大小有关 | 第18页 |
| 2.6 蒙特卡罗方法减小方差的技巧 | 第18-19页 |
| 2.7 随机数的产生 | 第19-23页 |
| 2.7.1 随机数的性质 | 第19-20页 |
| 2.7.2 随机数与伪随机数 | 第20页 |
| 2.7.3 伪随机数的产生 | 第20-23页 |
| 2.7.3.1 乘同余法 | 第21页 |
| 2.7.3.2 乘加同余法 | 第21页 |
| 2.7.3.3 加同余法 | 第21-23页 |
| 第三章、MCNP程序 | 第23-46页 |
| 3.1 MCNP程序的特点 | 第23-24页 |
| 3.2 MCNP程序结构 | 第24-26页 |
| 3.3 MCNP4B程序的运行环境 | 第26页 |
| 3.4 输入文件简介 | 第26-29页 |
| 3.4.1 INP文件 | 第26-27页 |
| 3.4.2 输出文件 | 第27-29页 |
| 3.4.2.1 程序调试过程的记录信息 | 第27-28页 |
| 3.4.2.2 程序运行过程的记录信息 | 第28-29页 |
| 3.4.3 转储文 | 第29页 |
| 3.5 源分布抽样 | 第29-36页 |
| 3.5.1 源粒子的位置常见分布的随机抽样 | 第29-33页 |
| 3.5.1.1 圆内均匀分布 | 第30页 |
| 3.5.1.2 球内均匀分布 | 第30页 |
| 3.5.1.3 球壳内均匀分布 | 第30-32页 |
| 3.5.1.4 圆柱内均匀分布 | 第32页 |
| 3.5.1.5 点源分布 | 第32页 |
| 3.5.1.6 球外平行束源分布 | 第32-33页 |
| 3.5.2 源粒子的能量常见分布的随机抽样 | 第33-34页 |
| 3.5.2.1 单能源分布 | 第33页 |
| 3.5.2.2 裂变中子谱分布 | 第33-34页 |
| 3.5.2.3 麦克斯韦(Maxwell)谱分布 | 第34页 |
| 3.5.3 源粒子运动方向常见分布的随机抽样 | 第34-36页 |
| 3.5.3.1 各向同性分布 | 第34-35页 |
| 3.5.3.2 半面各向同性分布 | 第35页 |
| 3.5.3.3 球外平行束源分布 | 第35-36页 |
| 3.5.3.4 球外各向同性点源分布 | 第36页 |
| 3.5.4 次级粒子的源分布 | 第36页 |
| 3.5.4.1 直接生成法 | 第36页 |
| 3.5.4.2 离散分布法 | 第36页 |
| 3.6 输运过程描述 | 第36-43页 |
| 3.6.1 粒子空间位置的抽样计算 | 第37-39页 |
| 3.6.2 碰撞后能量E_(m+1)的随机抽样 | 第39-41页 |
| 3.6.3 碰撞后运动方向Ω_(m+1)的确定 | 第41-43页 |
| 3.6.3.1 碰撞后散射角的随机抽样 | 第41-42页 |
| 3.6.3.2 碰撞后运动方向Ω_(m+1)的确定 | 第42-43页 |
| 3.7 历史终止机制描述 | 第43-44页 |
| 3.8 统计处理描述 | 第44-46页 |
| 3.8.1 记录贡献与分析结果过程 | 第44页 |
| 3.8.2 方差和协方差的估计 | 第44-46页 |
| 第四章、~(152)Sm在22-1019KEV能区中子俘获反应截面的测量 | 第46-66页 |
| 4.1 ~(152)Sm俘获反应截面的测量现状及原理 | 第46-48页 |
| 4.1.1 ~(152)Sm中子俘获反应截面测量现状 | 第46页 |
| 4.1.2 ~(152)Sm中子俘获反应截面测量原理 | 第46-48页 |
| 4.1.2.1 中子源的选择依据 | 第47-48页 |
| 4.1.2.2 中子注量φ的测定 | 第48页 |
| 4.1.2.3 核反应的次数N的测定 | 第48页 |
| 4.2 实验装置及步骤 | 第48-49页 |
| 4.2.1 实验装置 | 第48-49页 |
| 4.2.2 实验步骤 | 第49页 |
| 4.3 样品的制备和加速器上靶的制备 | 第49-50页 |
| 4.3.1 样品的制备 | 第50页 |
| 4.3.1.1 标准样品的制备 | 第50页 |
| 4.3.1.2 待测样品的制备 | 第50页 |
| 4.3.2 靶的制备 | 第50页 |
| 4.4 样品的辐照及采用长计数器对中子注量率的波动进行监测 | 第50-54页 |
| 4.4.1 样品的辐照 | 第50-52页 |
| 4.4.1.1 4.5M静电加速器工作原理简介 | 第51-52页 |
| 4.4.1.2 4.5M静电加速器性能指标 | 第52页 |
| 4.4.2 用长计数器对中子注量率的波动进行监测 | 第52-54页 |
| 4.4.2.2 长计数器的工作原理 | 第53-54页 |
| 4.4.2.3 多路定标器简介 | 第54页 |
| 4.5 用GE(L1)探测器对生成核~(153)Sm及~(198)Au衰变发射的Γ谱进行测量 | 第54-63页 |
| 4.5.1 反应生成核素~(153)Sm及~(198)Au的γ谱 | 第54-56页 |
| 4.5.1.1 核素~(153)Sm衰变的γ谱分析 | 第54-56页 |
| 4.5.1.2 核素~(198)Au衰变的γ谱分析 | 第56页 |
| 4.5.2 γ射线与物质的作用机制 | 第56-57页 |
| 4.5.2.1 光电效应 | 第56-57页 |
| 4.5.2.2 康普顿效应 | 第57页 |
| 4.5.2.3 电子对效应 | 第57页 |
| 4.5.3 γ射线在物质中的吸收 | 第57-58页 |
| 4.5.4 γ射线探测原理 | 第58页 |
| 4.5.5 Ge(Li)探测器 | 第58-63页 |
| 4.5.5.1 Ge(Li)探测器系统组成 | 第58-59页 |
| 4.5.5.2 Ge(Li)探测器的工作原理 | 第59-60页 |
| 4.5.5.3 Ge(Li)探测器的性能指标 | 第60-62页 |
| 4.5.5.4 Ge(Li)能量刻度及效率刻度 | 第62-63页 |
| 4.6 实验数据处理分析 | 第63-66页 |
| 4.6.1 实验数据处理 | 第63-64页 |
| 4.6.2 实验数据误差来源分析 | 第64-66页 |
| 第五章、利用MCNP4B程序对多次散射效应和自屏蔽效应等进行模拟计算 | 第66-81页 |
| 5.1 多次散射效应和自屏蔽效应的模拟计算 | 第66-74页 |
| 5.1.1 计算模型描述 | 第66-67页 |
| 5.1.2 多次散射修正因子S定义及的计算 | 第67-69页 |
| 5.1.3 注量率衰减因子D定义及的计算 | 第69-74页 |
| 5.2 冷却水层厚度变化对多次散射效应的影响 | 第74-77页 |
| 5.3 靶管厚度变化对多次散射效应的影响 | 第77-81页 |
| 第六章、结果讨论及后续工作 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-88页 |
| 发表论文： | 第88-89页 |
| 致射 | 第89页 |
