| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-36页 |
| 1.1 ZnO的基本性质 | 第11-13页 |
| 1.2 ZnO材料的研究进展和现存科学问题 | 第13-26页 |
| 1.2.1 ZnO中的极性面与非极性面研究 | 第14-15页 |
| 1.2.2 ZnO材料中的本征缺陷 | 第15-16页 |
| 1.2.3 ZnO材料的p型掺杂 | 第16-20页 |
| 1.2.4 ZnMO(M=Mg,Cd)能带工程 | 第20页 |
| 1.2.5 ZnO基光电子器件的研究进展 | 第20-25页 |
| 1.2.6 ZnO基光电器件研究存在的问题 | 第25-26页 |
| 1.3 本论文的选题依据和主要内容 | 第26-27页 |
| 参考文献 | 第27-36页 |
| 第2章 薄膜的制备技术及其表征手段 | 第36-50页 |
| 2.1 分子束外延(MBE) | 第36-38页 |
| 2.2 磁控溅射技术 | 第38-40页 |
| 2.3 退火设备 | 第40页 |
| 2.4 薄膜的表征手段 | 第40-49页 |
| 2.4.1 X-身寸线衍射 | 第40-41页 |
| 2.4.2 扫描电子显微镜和X射线能量谱仪(EDS) | 第41-42页 |
| 2.4.3 原子力显微镜 | 第42-44页 |
| 2.4.5 透射-吸收光谱 | 第44-45页 |
| 2.4.6 霍尔效应 | 第45-46页 |
| 2.4.7 X射线光电子能谱 | 第46-47页 |
| 2.4.8 光致发光光谱 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-50页 |
| 第3章 极性与非极性面ZnO薄膜的制备与性质研究 | 第50-60页 |
| 3.1 样品制备 | 第51-52页 |
| 3.2 衬底对ZnO薄膜晶体结构的影响 | 第52-53页 |
| 3.3 极性面与非极性面ZnO薄膜的形貌比较 | 第53-54页 |
| 3.4 极性面与非极性面ZnO薄膜的电学特性对比 | 第54-55页 |
| 3.5 极性面与非极性面ZnO薄膜的光学特性对比 | 第55-57页 |
| 3.6 小结 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 第4章 Ag掺杂ZnO薄膜的制备及其性质研究 | 第60-70页 |
| 4.1 样品的制备 | 第61-62页 |
| 4.2 O_2/(Ar+O_2)流量比对ZnO:Ag薄膜晶体结构的影响 | 第62-63页 |
| 4.3 O_2/(Ar+O_2)流量比对ZnO:Ag薄膜导电类型的影响 | 第63-64页 |
| 4.4 O_2/(Ar+O_2)流量比对ZnO:Ag光致发光谱的影响 | 第64-65页 |
| 4.5 n-ZnO/p-ZnO:Ag同质结的Ⅳ特性 | 第65-66页 |
| 4.6 小结 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 第5章 n-ZnO/p-NiO异质结光电器件的研究 | 第70-88页 |
| 5.1 n-ZnO/p-NiO异质结的能带偏移 | 第71-76页 |
| 5.1.1 样品的制备 | 第71页 |
| 5.1.2 n-ZnO/p-NiO异质结价带带阶的测定方法和计算 | 第71-76页 |
| 5.2 n-ZnO/p-NiO异质结探测器 | 第76-85页 |
| 5.2.1 异质结探测器工作原理 | 第76-79页 |
| 5.2.2 n-ZnO/p-NiO异质结制备 | 第79-80页 |
| 5.2.3 n-ZnO/p-NiO异质结形貌、晶体结构和Ⅳ特性 | 第80-81页 |
| 5.2.4 n-ZnO/p-NiO异质结光学性质 | 第81-82页 |
| 5.2.5 n-ZnO/p-NiO异质结光探测性质研究 | 第82-83页 |
| 5.2.6 小结 | 第83-85页 |
| 参考文献 | 第85-88页 |
| 第6章 结论 | 第88-90页 |
| 攻读博士期间发表的论文 | 第90-92页 |
| 致谢 | 第92-94页 |
| 作者简历 | 第94页 |
