| 第一章 半导体超辐射发光器件研究综述 | 第7-27页 |
| 1.1 超辐射的概念及发光机理 | 第7-9页 |
| 1.2 超辐射发光器件的主要特性 | 第9-12页 |
| 1.3 超辐射发光器件的结构类型 | 第12-19页 |
| 1.4 长波长 InGaAsP/InP 超辐射发光管研究进展 | 第19-21页 |
| 1.5 超辐射发光器件的应用 | 第21-23页 |
| 1.6 本论文的主要工作 | 第23-24页 |
| 参考文献 | 第24-27页 |
| 第二章 集成超辐射光源的设计 | 第27-39页 |
| 2.1 超辐射发光管与半导体光放大器的单片集成思想的提出 | 第27-29页 |
| 2.2 集成超辐射光源的器件结构设计 | 第29-31页 |
| 2.3 集成超辐射发光管的理论分析 | 第31-37页 |
| 参考文献 | 第37-39页 |
| 第三章 非均匀阱宽多量子阱集成超辐射光源的研制 | 第39-63页 |
| 3.1 增加光谱宽度的方法 | 第39-44页 |
| 3.2 量子阱超辐射发光器件的光谱宽度 | 第44-45页 |
| 3.3 增益谱的计算 | 第45-48页 |
| 3.4 非均匀阱宽多量子阱材料的设计 | 第48-50页 |
| 3.5 非均匀阱宽多量子阱集成超辐射器件的制作及测试分析 | 第50-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 第四章 量子阱互混的集成超辐射光源的研制 | 第63-79页 |
| 4.1 量子阱互混的集成超辐射器件的提出 | 第63-65页 |
| 4.2 量子阱混合技术简介 | 第65-67页 |
| 4.3 量子阱混合机理分析 | 第67-69页 |
| 4.4 量子阱混合的实验 | 第69-72页 |
| 4.5 基于量子阱混合的集成超辐射发光管的制作 | 第72-73页 |
| 4.6 器件测试及及分析 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 第五章 半导体光放大器的研制 | 第79-105页 |
| 5.1 引言 | 第79-80页 |
| 5.2 半导体光放大器的结构及原理 | 第80-86页 |
| 5.3 半导体光放大器的应用 | 第86-88页 |
| 5.4 半导体光放大器的设计与制作 | 第88-91页 |
| 5.5 半导体光放大器自动测试软件 | 第91-94页 |
| 5.6 半导体光放大器的测试及分析 | 第94-103页 |
| 参考文献 | 第103-105页 |
| 结束语 | 第105-106页 |
| 致谢 | 第106-107页 |
| 博士期间发表的文章及申请的专利 | 第107-116页 |
