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相变存储阵列的测试方法及热串扰HSPIC模拟研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
1 绪论第9-18页
    1.1 相变存储器简介第9-11页
    1.2 相变存储器单元及阵列的测试方法第11-14页
    1.3 相变存储器热积累和热串扰研究现状第14-15页
    1.4 相变存储器建模第15-16页
    1.5 本论文研究目的与内容安排第16-18页
2 相变存储阵列测试系统的设计第18-37页
    2.1 相变存储器阵列结构第18-19页
    2.2 相变存储阵列的测试方法第19-20页
    2.3 相变存储阵列测试系统的设计第20-22页
    2.4 256Kb相变存储阵列选址测试板的实现第22-29页
    2.5 256Kb相变存储阵列测试结果示例第29-36页
    2.6 本章小结第36-37页
3 相变存储阵列HSPICE模型构建第37-52页
    3.1 相变存储器阵列建模相关理论第37-44页
    3.2 相变存储器阵列模型第44-51页
    3.3 本章小结第51-52页
4 相变存储器阵列HSPICE模型模拟仿真第52-64页
    4.1 相变存储器单元相变过程仿真第52-55页
    4.2 热串扰对相邻单元阈值电压的影响第55-58页
    4.3 热串扰对相邻单元工作脉冲参数的影响第58-62页
    4.4 相变存储阵列热串扰测试与反馈调节第62-63页
    4.5 本章小结第63-64页
5 总结与展望第64-66页
    5.1 总结第64页
    5.2 展望第64-66页
致谢第66-67页
参考文献第67-70页

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