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基于软开关与交错并联技术的VRM的研究与设计

摘要第5-6页
ABSTRACT第6页
符号对照表第11-13页
缩略语对照表第13-17页
第一章 绪论第17-21页
    1.1 选题背景及研究意义第17-18页
    1.2 VRM的国内外研究现状及发展前景第18-19页
    1.3 本文主要工作和内容安排第19-21页
第二章 VRM整体结构的研究与设计第21-29页
    2.1 VRM的需求分析第21页
    2.2 VRM的功能分析第21页
    2.3 VRM的设计指标第21-22页
    2.4 VRM系统整体结构的设计第22-28页
        2.4.1 VRM的典型拓扑结构第22页
        2.4.2 VRM前级电路结构的确定第22-26页
        2.4.3 VRM后级电路结构的选择第26-27页
        2.4.4 VRM 控制方式的选择第27-28页
        2.4.5 VRM系统整体结构设计第28页
    2.5 本章小结第28-29页
第三章 VRM前级主电路及控制电路的设计第29-47页
    3.1 软开关技术第29-30页
    3.2 软开关技术的应用电路第30-36页
        3.2.1 不对称半桥电路的工作原理第30-34页
        3.2.2 ZVS实现的条件第34-35页
        3.2.3 占空比丢失分析第35-36页
    3.3 前级变换器的控制方法第36页
    3.4 前级变换器主电路参数计算第36-41页
        3.4.1 占空比的确定第36-37页
        3.4.2 高频变压器的设计第37-39页
        3.4.3 开关MOS管和整流MOS管的选择第39页
        3.4.4 隔直电容的确定第39页
        3.4.5 谐振电感参数的确定第39-40页
        3.4.6 输出滤波电感及电容的确定第40页
        3.4.7 同步整流驱动绕组的设计第40-41页
    3.5 前级控制电路的设计第41-46页
        3.5.1 控制芯片的选择第41-43页
        3.5.2 控制芯片SG3525A外围电路设计第43-44页
        3.5.3 驱动芯片的选定第44-45页
        3.5.4 IR2110外围电路的设计第45-46页
    3.6 本章小结第46-47页
第四章 VRM后级主电路及控制电路设计第47-67页
    4.1 同步整流技术第47-50页
        4.1.2 同步整流管的驱动方式第50页
    4.2 多相交错并联技术第50-53页
    4.3 并联均流技术第53-57页
    4.4 后级主电路参数设计与计算第57-59页
        4.4.1 占空比的确定第57页
        4.4.2 交错并联相数的确定第57-58页
        4.4.3 主开关管和同步整流管的选择第58页
        4.4.4 每相输出滤波电感的确定第58-59页
        4.4.5 滤波电容的确定第59页
    4.5 后级控制电路的设计第59-65页
        4.5.1 后级控制芯片的的选择第59-61页
        4.5.2 ADP3191的外围电路设计第61-64页
        4.5.3 后级驱动芯片的选择第64页
        4.5.4 后级驱动芯片ADP3110A外围电路的设计第64-65页
    4.6 辅助电源的设计第65-66页
    4.7 本章小结第66-67页
第五章 VRM电路仿真与验证分析第67-77页
    5.1 Saber和MATLAB/Simulink仿真软件分析第67页
    5.2 前级不对称半桥变换器ZVS实现的仿真与分析第67-70页
    5.3 后级交错并联SR-Buck变换电路的仿真与分析第70-75页
    5.4 本章小结第75-77页
第六章 结论与展望第77-79页
参考文献第79-81页
致谢第81-83页
作者简介第83-84页

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