| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-25页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 CdMnTe晶体结构以及电光学特性 | 第13-17页 |
| 1.2.1 CdMnTe晶体结构及能带结构 | 第13-14页 |
| 1.2.2 电学性能 | 第14-15页 |
| 1.2.3 光学性能 | 第15-17页 |
| 1.3 CdMnTe晶体中的杂质与缺陷 | 第17-18页 |
| 1.3.1 杂质 | 第17-18页 |
| 1.3.2 缺陷 | 第18页 |
| 1.4 CdMnTe晶体的生长方法 | 第18-20页 |
| 1.4.1 垂直布里奇曼法 | 第18-19页 |
| 1.4.2 移动加热器法 | 第19-20页 |
| 1.5 CdMnTe晶体中的生长界面 | 第20-22页 |
| 1.6 温度场对晶体生长及其性能的影响 | 第22-23页 |
| 1.7 本课题的研究内容 | 第23-25页 |
| 1.7.1 本课题研究意义 | 第23-24页 |
| 1.7.2 本文主要研究内容 | 第24-25页 |
| 第二章 THM法生长CdMnTe晶体工艺流程研究 | 第25-39页 |
| 2.1 移动加热器法（THM）基本原理 | 第25-26页 |
| 2.2 晶体生长石英坩埚的处理 | 第26-28页 |
| 2.3 THM法生长CdMnTe晶体生长参数 | 第28-33页 |
| 2.3.1 生长温度 | 第28-29页 |
| 2.3.2 温度梯度 | 第29-32页 |
| 2.3.3 生长速度 | 第32-33页 |
| 2.3.4 坩埚加速旋转（ACRT） | 第33页 |
| 2.4 CdMnTe生长原料的合成 | 第33-35页 |
| 2.5 晶锭加工以及晶片处理 | 第35-38页 |
| 2.5.1 CdMnTe晶体的切割 | 第36页 |
| 2.5.2 晶片研磨及抛光 | 第36-38页 |
| 2.6 本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 CdMnTe晶体的生长界面研究 | 第39-51页 |
| 3.1 CdMnTe晶体的生长界面 | 第39-43页 |
| 3.2 生长界面对CdMnTe晶体中Te夹杂相的影响 | 第43-46页 |
| 3.3 生长界面对CdMnTe晶体中Mn的成分分布影响 | 第46-48页 |
| 3.4 CdMnTe晶体的禁带宽度 | 第48-50页 |
| 3.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 CdMnTe晶体中杂质分布以及缺陷研究 | 第51-58页 |
| 4.1 CdMnTe晶体中的杂质分布 | 第51-53页 |
| 4.2 CdMnTe晶体的红外透过率 | 第53-54页 |
| 4.3 CdMnTe晶体中缺陷能级 | 第54-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 CdMnTe晶体的电学性能研究 | 第58-65页 |
| 5.1 电极的制备 | 第58-59页 |
| 5.2 温度场对CdMnTe晶体电学性能的影响 | 第59-62页 |
| 5.2.1 CdMnTe晶体电阻率测试 | 第59-61页 |
| 5.2.2 霍尔测试 | 第61-62页 |
| 5.3 CdMnTe室温核辐射探测器的性能测试 | 第62-63页 |
| 5.4 本章小结 | 第63-65页 |
| 第六章 结论与展望 | 第65-68页 |
| 6.1 结论 | 第65-66页 |
| 6.2 展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-75页 |
| 作者在攻读硕士学位期间公开发表的论文 | 第75-76页 |
| 作者在攻读硕士学位期间所作的项目 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77页 |