| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 序言 | 第9-13页 |
| 1 引言 | 第13-18页 |
| 1.1 常规超导体和非常规超导体 | 第13-15页 |
| 1.2 超导电子配对对称性 | 第15-18页 |
| 2 BiS_2-基超导体 | 第18-23页 |
| 2.1 研究背景 | 第18-20页 |
| 2.2 晶格结构 | 第20页 |
| 2.3 能带结构 | 第20-23页 |
| 3 T矩阵近似和格林函数 | 第23-28页 |
| 3.1 单个杂质掺杂诱导的局域态密度计算方法 | 第23-25页 |
| 3.2 格林函数方法推导 | 第25-28页 |
| 4 弱散射极限下BiS_2-基超导体局域电子结构 | 第28-47页 |
| 4.1 理论模型与方法 | 第28-30页 |
| 4.2 费米面 | 第30-31页 |
| 4.3 弱散射势下的局域电子态密度和电子结构 | 第31-41页 |
| 4.4 空间调制结构 | 第41-47页 |
| 5 强散射极限下的局域电子结构 | 第47-59页 |
| 5.1 强散射极限下的局域电子态密度 | 第47-54页 |
| 5.2 空间调制结构 | 第54-59页 |
| 6 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 作者简历及攻读硕士/博士学位期间取得的研究成果 | 第63-65页 |
| 学位论文数据集 | 第65页 |