| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-48页 |
| 1.1 引言 | 第13-14页 |
| 1.2 纳米材料及其在光电子器件中的应用 | 第14-22页 |
| 1.2.1 纳米材料的定义及分类 | 第14-15页 |
| 1.2.2 纳米材料的基本效应 | 第15-16页 |
| 1.2.3 纳米材料在光电子器件中的应用 | 第16-20页 |
| 1.2.4 量子点及其热注入法制备 | 第20-22页 |
| 1.3 有机纳米薄膜场效应晶体管 | 第22-29页 |
| 1.3.1 有机场效应晶体管基本结构 | 第22-24页 |
| 1.3.2 场效应晶体管的工作原理 | 第24-25页 |
| 1.3.3 有机半导体薄膜的制备途径 | 第25-27页 |
| 1.3.4 有机场效应晶体管的基本参数 | 第27-29页 |
| 1.4 场效应晶体管结构光电探测器 | 第29-34页 |
| 1.4.1 场效应光电探测器的重要性能参数 | 第29-32页 |
| 1.4.2 影响光电探测器性能的因素 | 第32-34页 |
| 1.5 本论文的研究内容和研究意义 | 第34-36页 |
| 参考文献 | 第36-48页 |
| 第二章 基于P3HT的场效应光电探测器 | 第48-70页 |
| 2.1 引言 | 第48-49页 |
| 2.2 实验部分 | 第49-52页 |
| 2.2.1 试剂、材料及仪器 | 第49-50页 |
| 2.2.2 实验步骤 | 第50-52页 |
| 2.3 有源层厚度对场效应光电探测器的性能的影响 | 第52-60页 |
| 2.3.1 不同有源层厚度场效应光电探测器的电学性能表征 | 第52-55页 |
| 2.3.2 不同有源层厚度场效应光电探测器的光响应性能的表征 | 第55-60页 |
| 2.3.3 小结 | 第60页 |
| 2.4 场效应光电探测器的介电层优化 | 第60-64页 |
| 2.4.1 实验方法 | 第60-61页 |
| 2.4.2 介电层优化对场效应光电探测器的电学性能的影响 | 第61-62页 |
| 2.4.3 介电层优化对场效应光电探测器的光响应能力的影响 | 第62-63页 |
| 2.4.4 小结 | 第63-64页 |
| 2.5 结论与展望 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 第三章 掺杂介电材料为有源层的场效应光电探测器 | 第70-88页 |
| 3.1 引言 | 第70-71页 |
| 3.2 实验部分 | 第71-73页 |
| 3.2.1 试剂、材料和仪器 | 第71-72页 |
| 3.2.2 实验步骤 | 第72-73页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第73-84页 |
| 3.3.1 PVP介电层的性能表征 | 第73-75页 |
| 3.3.2 光电探测器的电学性能表征 | 第75-78页 |
| 3.3.3 光电探测器的光响应性能表征 | 第78-82页 |
| 3.3.4 PMMA掺杂对有源层薄膜的形貌及吸收光谱的影响 | 第82-84页 |
| 3.4 结论与展望 | 第84-86页 |
| 参考文献 | 第86-88页 |
| 第四章 掺杂PbS量子点为有源层的红外光电探测器 | 第88-110页 |
| 4.1 引言 | 第88-89页 |
| 4.2 实验部分 | 第89-92页 |
| 4.2.1 试剂、材料及仪器 | 第89-90页 |
| 4.2.2 量子点的制备 | 第90页 |
| 4.2.3 器件的制备 | 第90-92页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第92-105页 |
| 4.3.1 量子点性能表征 | 第92-93页 |
| 4.3.2 有源层形貌的AFM表征 | 第93-94页 |
| 4.3.3 场效应红外光电探测器的电学性能表征 | 第94-98页 |
| 4.3.4 场效应红外光电探测器的光响应性能 | 第98-105页 |
| 4.4 结论与展望 | 第105-107页 |
| 参考文献 | 第107-110页 |
| 第五章 结论与展望 | 第110-113页 |
| 5.1 结论 | 第110-112页 |
| 5.2 展望 | 第112-113页 |
| 攻读学位期间发表论文与研究成果清单 | 第113-115页 |
| 致谢 | 第115-116页 |
| 个人简介 | 第116页 |
