纳秒脉冲介质阻挡放电光谱与V-I信号的同步采集与分析
| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 等离子体概念和性质 | 第10页 |
| 1.2 低温等离子体的应用 | 第10-13页 |
| 1.2.1 低温等离子体在环境污染治理方面的应用 | 第11-12页 |
| 1.2.2 低温等离子体在材料处理方面的应用 | 第12页 |
| 1.2.3 低温等离子体在微电子工业方面的应用 | 第12-13页 |
| 1.3 脉冲介质阻挡放电简述 | 第13-20页 |
| 1.3.1 脉冲介质阻挡放电的简要概括 | 第13-16页 |
| 1.3.2 大气压脉冲介质阻挡放电的研究现状 | 第16-20页 |
| 1.4 研究内容和章节安排 | 第20-22页 |
| 2 高压脉冲DBD特性参数的诊断方式 | 第22-34页 |
| 2.1 引言 | 第22-24页 |
| 2.2 发射光谱诊断方法 | 第24-25页 |
| 2.3 脉冲放电光电信号的同步采集方法 | 第25-33页 |
| 2.3.1 实验装置 | 第25-27页 |
| 2.3.2 对高压脉冲电源的控制简介 | 第27-30页 |
| 2.3.3 对光纤光谱仪的控制简介 | 第30-31页 |
| 2.3.4 控制时序简介 | 第31-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 3 同轴DBD放电电极两端电压与电流测试与分析 | 第34-47页 |
| 3.1 单次放电的电压电流测量 | 第34-35页 |
| 3.2 电流密度的计算 | 第35-36页 |
| 3.3 放电电极电容的计算 | 第36-37页 |
| 3.4 放电模式的分析 | 第37-43页 |
| 3.4.1 汤生理论向流光理论过渡 | 第37-39页 |
| 3.4.2 放电模式的分析 | 第39-43页 |
| 3.5 从电源的机制分析电压的趋势变化 | 第43-45页 |
| 3.6 本章小结 | 第45-47页 |
| 4 光谱的采集与分析 | 第47-58页 |
| 4.1 电子激发温度的计算思路 | 第47-51页 |
| 4.1.1 光强比值法测量电子激发温度的基本原理 | 第47-48页 |
| 4.1.2 电子激发温度的计算方法 | 第48-51页 |
| 4.2 不同氩气流量的光谱采集与分析 | 第51-52页 |
| 4.3 不同电压下的光谱采集与分析 | 第52-54页 |
| 4.4 光谱强度与电子密度的关系 | 第54-56页 |
| 4.5 本章小结 | 第56-58页 |
| 5 结论与展望 | 第58-60页 |
| 硕士期间研究成果 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
