| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第1章 绪论 | 第11-22页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 磁记录技术 | 第11-17页 |
| 1.2.1 磁记录介质的发展 | 第11-12页 |
| 1.2.2 面内磁记录技术 | 第12-13页 |
| 1.2.3 垂直磁记录技术 | 第13-15页 |
| 1.2.4 热辅助磁记录技术 | 第15-16页 |
| 1.2.5 交换耦合性质 | 第16-17页 |
| 1.3 FePt薄膜 | 第17-21页 |
| 1.3.1 A1-FePt和L1_0-FePt | 第17-19页 |
| 1.3.2 FePt-A1相到FePt-L1_0相的转变 | 第19-21页 |
| 1.4 本文的选题意义以及研究内容 | 第21-22页 |
| 第2章 实验方法与表征 | 第22-31页 |
| 2.1 磁控溅射镀膜 | 第22-23页 |
| 2.2 真空热处理炉 | 第23-24页 |
| 2.3 台阶仪 | 第24-25页 |
| 2.4 X射线衍射仪 | 第25-27页 |
| 2.5 原子力显微镜 | 第27-28页 |
| 2.6 振动样品磁强计 | 第28-29页 |
| 2.7 样品定标 | 第29-31页 |
| 第3章 不同基片上生长单层FePt薄膜的性质 | 第31-48页 |
| 3.1 Si(001)基片上生长的L1_0-FePt | 第31-38页 |
| 3.2 MgO(001)基片生长L1_0-FePt | 第38-41页 |
| 3.3 MgO(110)基片生长L1_0-FePt | 第41-46页 |
| 3.4 小结 | 第46-48页 |
| 第4章 MgO(110)基片上生长L1_0/A1FePt双层薄膜 | 第48-57页 |
| 4.1 MgO(110)基片生长L1_0-FePt(10 nm)/A1-FePt(x nm)双层膜的磁性分析 | 第48-49页 |
| 4.2 MgO(110)基片上生长L1_0-(30 nm)/A1-FePt(x nm)双层膜的磁性分析 | 第49-52页 |
| 4.3 MgO(110)基片上生长L1_0-FePt(30 nm)/MgO(10 nm)/A1-FePt(x nm)三层膜的磁性分析 | 第52-53页 |
| 4.4 面内取向L1_0-FePt/A1-FePt交换耦合薄膜磁化反转机制 | 第53-56页 |
| 4.5 小结 | 第56-57页 |
| 第5章 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 攻读硕士期间发表的署名论文 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
