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电子型铜氧化物La2-xCexCuO4+δ超导薄膜的高维电输运相图

摘要第3-5页
Abstract第5-6页
第一章 引言第13-27页
    1.1 超导的发展与应用第13-18页
        1.1.1 超导的发展第13-17页
        1.1.2 超导的应用第17-18页
    1.2 铜氧化物发展现状第18-25页
        1.2.1 空穴型铜氧化物第19-22页
        1.2.2 电子型铜氧化物第22-25页
    1.3 本文主要结构第25-27页
第二章 La_(2-x)Ce_xCuO_(4±δ)薄膜制备与表征第27-43页
    2.1 薄膜制备技术及原理第28-34页
        2.1.1 靶材制备第28-29页
        2.1.2 脉冲激光沉积(PLD)技术及原理第29-32页
        2.1.3 激光分子束外延(Laser-MBE)技术及原理第32-34页
    2.2 薄膜表征技术及原理第34-39页
        2.2.1 薄膜结构表征第35-36页
        2.2.2 薄膜形貌,厚度和成分表征第36-38页
        2.2.3 薄膜基本物性表征第38-39页
    2.3 La_(2-x)Ce_xCuO_(4±δ)薄膜退火过程分析第39-43页
第三章 电子型铜氧化物La_(2-x)Ce_xCuO_(4±δ)面内磁电阻输运特性研究第43-59页
    3.1 实验背景第43-45页
    3.2 实验测量第45-49页
        3.2.1 样品制备第45-47页
        3.2.2 样品刻蚀第47-48页
        3.2.3 样品测量第48-49页
    3.3 实验结果第49-52页
    3.4 分析与讨论第52-56页
        3.4.1 面内负磁电阻的起源第52-54页
        3.4.2 面内线性磁电阻的起源第54-56页
    3.5 本章小结第56-59页
第四章 电子型铜氧化物La_(2-x)Ce_xCuO_(4±δ)高维相图第59-77页
    4.1 实验背景第59-60页
    4.2 实验测量第60-63页
        4.2.1 样品制备与刻蚀第60页
        4.2.2 样品测量第60-63页
    4.3 实验结果第63-68页
    4.4 分析与讨论第68-75页
        4.4.1 自旋密度波与超导电性第68-70页
        4.4.2 La_(2-x)Ce_xCuO_(4±δ)高维相图第70-73页
        4.4.3 La_(2-x)Ce_xCuO_(4±δ)中的导电纳米条纹网格第73-75页
    4.5 本章小结第75-77页
第五章 电子型铜氧化物La_(2-x)Ce_xCuO_(4±δ)组合薄膜制备及输运特性研究第77-91页
    5.1 实验背景第77-80页
    5.2 La_(2-x)Ce_xCuO_(4±δ)组合薄膜制备第80-84页
        5.2.1 组合薄膜生长过程第80-81页
        5.2.2 组合薄膜生长的主要控制因素第81-84页
    5.3 实验结果第84-86页
    5.4 组合薄膜生长过程模拟第86-89页
    5.5 本章小结第89-91页
第六章 总结与展望第91-93页
附录A 导电的纳米条纹(conducting nano-filament,CNF)网格模型的研究第93-109页
    A.1 自旋轨道极化子第93-94页
    A.2 自旋轨道极化子的能带结构第94-97页
        A.2.1 两个铜原子的自旋轨道极化子第95-97页
        A.2.2 三个铜原子的自旋轨道极化子第97页
    A.3 导电纳米条纹的性质第97-102页
    A.4 导电纳米条纹与反铁磁序第102-104页
    A.5 导电纳米条纹与超导电性第104-105页
    A.6 导电纳米条纹结构中的电输运特性第105-109页
参考文献第109-131页
个人简历第131-133页
发表文章目录第133-135页
致谢第135-136页

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