SRAM抗SEU加固单元设计与ECC编码实现
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-21页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第15-17页 |
| 1.1.1 辐射环境 | 第15-16页 |
| 1.1.2 集成电路的抗辐照需求 | 第16-17页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第17-19页 |
| 1.3 论文研究内容及结构 | 第19-21页 |
| 第二章 单粒子翻转机理与防护 | 第21-31页 |
| 2.1 单粒子效应概述 | 第21-23页 |
| 2.1.1 单粒子效应的分类 | 第21-22页 |
| 2.1.2 单粒子效应对IC的影响 | 第22-23页 |
| 2.1.3 单粒子效应的挑战 | 第23页 |
| 2.2 单粒子翻转效应的机理 | 第23-26页 |
| 2.2.1 SEU的机制与量化 | 第23-25页 |
| 2.2.2 SRAM中的SEU效应 | 第25-26页 |
| 2.3 RHBD技术在SRAM上的具体应用 | 第26-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 SRAM中单粒子辐射的建模与仿真 | 第31-43页 |
| 3.1 单粒子效应的TCAD建模与分析 | 第31-34页 |
| 3.1.1 辐射模拟流程 | 第31-32页 |
| 3.1.2 器件模型与校准 | 第32页 |
| 3.1.3 单粒子辐照仿真 | 第32-34页 |
| 3.2 SRAM基本单元的SEU效应仿真 | 第34-41页 |
| 3.2.1 SRAM的节点敏感性 | 第35-36页 |
| 3.2.2 SRAM的翻转阈值 | 第36-39页 |
| 3.2.3 SRAM中SEU的影响因素 | 第39-41页 |
| 3.3 本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 SRAM抗SEU加固单元设计与仿真分析 | 第43-63页 |
| 4.1 SRAM抗SEU存储单元的设计 | 第43-47页 |
| 4.1.1 交错连接加固结构 | 第43-44页 |
| 4.1.2 读写分离加固结构 | 第44-46页 |
| 4.1.3 隔离加固结构 | 第46-47页 |
| 4.2 参数设置 | 第47页 |
| 4.3 加固单元的抗SEU仿真 | 第47-53页 |
| 4.4 多节点翻转仿真与分析 | 第53-55页 |
| 4.5 加固存储单元的分析与比较 | 第55-61页 |
| 4.5.1 单元面积 | 第55-56页 |
| 4.5.2 噪声容限分析 | 第56-57页 |
| 4.5.3 功耗分析 | 第57-58页 |
| 4.5.4 恢复速度对比 | 第58-59页 |
| 4.5.5 抗SEU性能分析 | 第59-61页 |
| 4.6 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 针对多位翻转的ECC设计与实现 | 第63-77页 |
| 5.1 RS码实现基础 | 第64-67页 |
| 5.2 RS码编译码设计与仿真 | 第67-71页 |
| 5.2.1 编码实现 | 第67-68页 |
| 5.2.2 译码实现 | 第68-71页 |
| 5.3 SRAM中RS码的应用 | 第71-76页 |
| 5.3.1 RS码的仿真分析 | 第71-73页 |
| 5.3.2 RS码的性能对比 | 第73-74页 |
| 5.3.3 纠错能力分析 | 第74-76页 |
| 5.4 本章小结 | 第76-77页 |
| 第六章 总结与展望 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-83页 |
| 致谢 | 第83-85页 |
| 作者简介 | 第85-86页 |
