| 摘要 | 第13-15页 |
| Abstract | 第15-17页 |
| 主要物理量名称及符号表 | 第18-22页 |
| 第1章 绪论 | 第22-34页 |
| 1.1 背景及意义 | 第22-23页 |
| 1.2 碳化硅的性质和应用 | 第23-26页 |
| 1.2.1 结构性质 | 第24-25页 |
| 1.2.2 物理性质 | 第25页 |
| 1.2.3 化学性质 | 第25页 |
| 1.2.4 材料应用 | 第25-26页 |
| 1.3 碳化硅单晶衬底超精密抛光加工工艺 | 第26-27页 |
| 1.4 国内外研究现状 | 第27-31页 |
| 1.4.1 机械抛光研究现状 | 第28-29页 |
| 1.4.2 化学机械抛光研究现状 | 第29-31页 |
| 1.5 存在的主要问题 | 第31-32页 |
| 1.6 课题研究内容 | 第32-34页 |
| 第2章 无架行星式双面机械抛光运动轨迹与均匀性分析 | 第34-72页 |
| 2.1 引言 | 第34页 |
| 2.2 无架行星式双面机械抛光的机理 | 第34-35页 |
| 2.3 无架行星式双面机械抛光的结构 | 第35-36页 |
| 2.4 无架行星式双面机械抛光的模型 | 第36-41页 |
| 2.4.1 受力分析 | 第38-39页 |
| 2.4.2 条件假设 | 第39页 |
| 2.4.3 抛光垫上任一点磨粒相对SiC衬底的运动轨迹方程 | 第39-40页 |
| 2.4.4 SiC衬底上任一点相对下抛光垫的运动轨迹方程 | 第40-41页 |
| 2.5 无架行星式双面机械抛光运动轨迹的仿真分析 | 第41-54页 |
| 2.5.1 行星差动轮系的设计与计算 | 第42-43页 |
| 2.5.2 抛光垫上任一点磨粒相对SiC衬底的运动轨迹仿真分析 | 第43-49页 |
| 2.5.3 SiC衬底上任一点相对下抛光垫的运动轨迹仿真分析 | 第49-53页 |
| 2.5.4 联合仿真分析 | 第53-54页 |
| 2.6 无架行星式双面机械抛光的材料去除率分析 | 第54-55页 |
| 2.7 无架行星式双面机械抛光的轨迹均匀性分析 | 第55-70页 |
| 2.7.1 SiC衬底的均匀抛光 | 第55-66页 |
| 2.7.2 抛光垫上磨粒的均匀磨损 | 第66-70页 |
| 2.8 本章小结 | 第70-72页 |
| 第3章 SiC单晶衬底双面机械抛光正交试验研究 | 第72-90页 |
| 3.1 引言 | 第72页 |
| 3.2 无架行星式双面机械抛光机构三维模型 | 第72-77页 |
| 3.2.1 模型的建立与导入 | 第72-73页 |
| 3.2.2 模型的定义与设置 | 第73-76页 |
| 3.2.3 模型检验 | 第76页 |
| 3.2.4 模型后处理和运动学仿真分析 | 第76-77页 |
| 3.3 正交试验设计与分析 | 第77-88页 |
| 3.3.1 正交试验设计 | 第77-78页 |
| 3.3.2 试验结果与分析 | 第78-88页 |
| 3.4 本章小结 | 第88-90页 |
| 第4章 基于分子动力学的SiC单晶衬底化学机械抛光机理研究 | 第90-104页 |
| 4.1 引言 | 第90页 |
| 4.2 化学机械抛光的结构 | 第90-91页 |
| 4.3 化学机械抛光的去除机理 | 第91-93页 |
| 4.3.1 唯象学模型 | 第91-92页 |
| 4.3.2 流体机械模型 | 第92页 |
| 4.3.3 磨粒磨损模型 | 第92页 |
| 4.3.4 化学作用模型 | 第92-93页 |
| 4.3.5 原子、分子级模型 | 第93页 |
| 4.4 分子动力学模型 | 第93-103页 |
| 4.4.1 晶胞模型的建立 | 第94-95页 |
| 4.4.2 仿真设置与计算 | 第95-103页 |
| 4.5 本章小结 | 第103-104页 |
| 第5章 基于ANSYS的SiC单晶衬底化学机械抛光流固耦合分析 | 第104-122页 |
| 5.1 引言 | 第104页 |
| 5.2 化学机械抛光流体动压润滑模型 | 第104-108页 |
| 5.2.1 接触方式 | 第104-105页 |
| 5.2.2 基本方程和条件假设 | 第105-108页 |
| 5.3 流固耦合模型 | 第108-114页 |
| 5.3.1 三维建模 | 第109-111页 |
| 5.3.2 流体区域定义和划分网格 | 第111-112页 |
| 5.3.3 流体区域设置 | 第112-113页 |
| 5.3.4 固体区域定义和划分网格 | 第113页 |
| 5.3.5 固体区域设置 | 第113-114页 |
| 5.4 仿真计算与后处理分析 | 第114-121页 |
| 5.4.1 导入压力 | 第116-117页 |
| 5.4.2 应力 | 第117-118页 |
| 5.4.3 应变 | 第118-120页 |
| 5.4.4 应变能 | 第120-121页 |
| 5.5 本章小结 | 第121-122页 |
| 第6章 SiC单晶衬底化学机械抛光正交试验研究 | 第122-146页 |
| 6.1 引言 | 第122页 |
| 6.2 Si面化学机械抛光的试验研究 | 第122-133页 |
| 6.2.1 六因素五水平正交试验设计 | 第122-129页 |
| 6.2.2 三因子二次回归正交旋转试验设计 | 第129-133页 |
| 6.3 C面化学机械抛光的试验研究 | 第133-144页 |
| 6.3.1 六因素五水平正交试验设计 | 第133-140页 |
| 6.3.2 三因子二次回归正交旋转试验设计 | 第140-144页 |
| 6.4 本章小结 | 第144-146页 |
| 第7章 结论和展望 | 第146-150页 |
| 7.1 全文总结 | 第146-147页 |
| 7.2 主要创新点 | 第147页 |
| 7.3 展望 | 第147-150页 |
| 参考文献 | 第150-162页 |
| 博士期间发表论文与参与的科研项目 | 第162-164页 |
| 致谢 | 第164-166页 |
| 英文论文 | 第166-171页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第171页 |
