茂基铱络合物中Ir-H键解离能的理论预测
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 前言 | 第9-12页 |
| 1.1 半三明治结构的过渡金属络合物 | 第9页 |
| 1.2 茂基铱络合物 | 第9-11页 |
| 1.3 论文概述 | 第11-12页 |
| 第2章 计算化学及方法简介 | 第12-18页 |
| 2.1 计算化学简介 | 第12页 |
| 2.2 从头算方法 | 第12-13页 |
| 2.3 密度泛函理 | 第13-15页 |
| 2.4 溶剂化模型 | 第15-16页 |
| 2.5 基组简介 | 第16页 |
| 2.6 NBO电荷简 | 第16-17页 |
| 2.7 形变-结合能分析方 | 第17-18页 |
| 第3章 茂基铱络合物中Ir-H键解离能的理论预测 | 第18-37页 |
| 3.1 前言 | 第18-19页 |
| 3.2 计算方法 | 第19-20页 |
| 3.3 溶剂对BDE的影响 | 第20页 |
| 3.4 膦配体配位的铱氢络合物 | 第20-22页 |
| 3.5 碳负离子或烯烃配位的铱氢络合物 | 第22-25页 |
| 3.6 氮杂环以及氮原子配位的络合物 | 第25-27页 |
| 3.7 硼、硫和硅原子配体配位的络合物 | 第27-29页 |
| 3.8 各种配体对键断裂能影响的对比 | 第29-33页 |
| 3.9 结论 | 第33页 |
| 3.10 补充材料 | 第33-37页 |
| 参考文献 | 第37-44页 |
| 附录 | 第44-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第56页 |
