| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-22页 |
| 1.1 场发射研究历史及现状 | 第11-15页 |
| 1.1.1 场发射研究历史 | 第11-12页 |
| 1.1.2 场发射的研究现状 | 第12-15页 |
| 1.2 场发射的应用 | 第15-18页 |
| 1.2.1 场发射平板显示 | 第15-16页 |
| 1.2.2 高功率微波真空器件 | 第16-17页 |
| 1.2.3 场发射传感器 | 第17-18页 |
| 1.3 MIC法简介 | 第18-19页 |
| 1.4 本论文研究目的意义及内容 | 第19-22页 |
| 1.4.1 本论文研究目的和意义 | 第19-20页 |
| 1.4.2 本论文研究内容 | 第20-22页 |
| 第二章 场发射稳流层及分析方法介绍 | 第22-35页 |
| 2.1 场发射原理介绍 | 第22-26页 |
| 2.1.1 场发射原理 | 第22-23页 |
| 2.1.2 场发射方程——福勒-诺德海姆公式 | 第23-25页 |
| 2.1.3 FN公式的适用性 | 第25页 |
| 2.1.4 金属和半导体接触理论 | 第25-26页 |
| 2.2 稳流层介绍 | 第26-32页 |
| 2.2.1 p-n结的形成 | 第27页 |
| 2.2.2 p-n结的空间电荷区和自建场 | 第27-28页 |
| 2.2.3 p-n结的电流电压特性 | 第28-32页 |
| 2.3 稳流层分析方法介绍 | 第32-34页 |
| 2.3.1 扫描电镜（SEM）分析 | 第32页 |
| 2.3.2 电压-电流特性测量 | 第32-33页 |
| 2.3.3 薄膜电学性能测量 | 第33-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 稳流层制备技术研究 | 第35-55页 |
| 3.1 稳流层结构设计 | 第35-36页 |
| 3.2 MIC法稳流层的工艺流程 | 第36-40页 |
| 3.2.1 p-硅基片清洗 | 第36-37页 |
| 3.2.2 n-硅薄膜以及Ni薄膜的电子束蒸发 | 第37-38页 |
| 3.2.3 高温退火形成p-n结 | 第38-40页 |
| 3.3 未经MIC法处理的稳流层性能测试分析 | 第40-42页 |
| 3.4 n-硅厚度对稳流层影响 | 第42-45页 |
| 3.4.1 扫描电镜分析 | 第42-43页 |
| 3.4.2 薄膜电学性能测试分析 | 第43-44页 |
| 3.4.3 电流-电压特性测试分析 | 第44-45页 |
| 3.5 退火温度对稳流层影响 | 第45-48页 |
| 3.5.1 扫描电镜分析 | 第45-46页 |
| 3.5.2 薄膜电学性能测试分析 | 第46-47页 |
| 3.5.3 电流-电压特性测试分析 | 第47-48页 |
| 3.6 不同退火时间对稳流层影响 | 第48-51页 |
| 3.6.1 扫描电镜分析 | 第48-49页 |
| 3.6.2 薄膜电学性能测试分析 | 第49-50页 |
| 3.6.3 电流-电压特性测试分析 | 第50-51页 |
| 3.7 退火时N2流量对稳流层影响 | 第51-54页 |
| 3.7.1 扫描电镜分析 | 第52页 |
| 3.7.2 薄膜电学性能测试分析 | 第52-53页 |
| 3.7.3 电压-电流特性测试分析 | 第53-54页 |
| 3.8 本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 带稳流层的Spindt型场发射阴极制备 | 第55-64页 |
| 4.1 Spindt型场发射阴极制备工艺流程 | 第55-56页 |
| 4.2 n-硅片的处理 | 第56-57页 |
| 4.3 Spindt型场发射阴极牺牲层制备 | 第57-59页 |
| 4.4 Spindt型发射体材料的选择和制备 | 第59-60页 |
| 4.4.1 阴极的材料选择与制作 | 第59-60页 |
| 4.5 牺牲层的去除以及对尖锥形貌的影响 | 第60-62页 |
| 4.6 阴极阵列的后期处理 | 第62-63页 |
| 4.7 本章小节 | 第63-64页 |
| 第五章 具有稳流层结构的场发射阵列阴极发射性能测试 | 第64-68页 |
| 5.1 场发射阴极测试的前期准备 | 第64-65页 |
| 5.2 测量电路设计 | 第65-66页 |
| 5.3 场发射测试结果以及分析 | 第66-67页 |
| 5.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 第六章 总结和展望 | 第68-70页 |
| 6.1 工作总结 | 第68页 |
| 6.2 工作展望 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-74页 |