多孔硅的制备、含能化填充及活性保持研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 1 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 研究背景 | 第10页 |
| 1.2 多孔硅简介 | 第10-11页 |
| 1.3 多孔硅制备方法 | 第11-14页 |
| 1.3.1 化学腐蚀法 | 第11-12页 |
| 1.3.2 单槽阳极腐蚀法 | 第12页 |
| 1.3.3 双槽电化学腐蚀法 | 第12-14页 |
| 1.3.4 其他腐蚀法 | 第14页 |
| 1.4 多孔硅形成机理 | 第14-16页 |
| 1.4.1 Beale耗尽模型 | 第14-15页 |
| 1.4.2 扩散限制模型 | 第15页 |
| 1.4.3 量子限制模型 | 第15-16页 |
| 1.5 多孔硅含能化研究 | 第16-21页 |
| 1.5.1 爆炸性质的发现 | 第16页 |
| 1.5.2 氧化剂的选择 | 第16-18页 |
| 1.5.3 能量特性研究 | 第18-19页 |
| 1.5.4 气体产量研究 | 第19-20页 |
| 1.5.5 爆炸装置的应用研究 | 第20-21页 |
| 1.6 本文主要研究内容 | 第21-22页 |
| 2 多孔硅的制备与表征 | 第22-40页 |
| 2.1 引言 | 第22-23页 |
| 2.2 多孔硅的制备 | 第23-25页 |
| 2.2.1 实验仪器与试剂 | 第23-24页 |
| 2.2.2 硅片的预处理 | 第24页 |
| 2.2.3 双槽腐蚀法制备多孔硅 | 第24-25页 |
| 2.3 质量规律研究 | 第25-32页 |
| 2.3.1 硅片腐蚀质量规律研究 | 第26-29页 |
| 2.3.2 电流密度对多孔硅质量和孔隙率的影响 | 第29-31页 |
| 2.3.3 腐蚀时间对多孔硅质量和孔隙率的影响 | 第31-32页 |
| 2.4 多孔硅形貌表征 | 第32-39页 |
| 2.4.1 表面形貌分析 | 第32-33页 |
| 2.4.2 断面形貌分析 | 第33-35页 |
| 2.4.3 腐蚀厚度分析 | 第35-37页 |
| 2.4.4 腐蚀均匀度分析 | 第37-39页 |
| 2.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 3 氧化剂填充及发火性能测试 | 第40-55页 |
| 3.1 引言 | 第40-42页 |
| 3.2 氧化剂的填充 | 第42-43页 |
| 3.2.1 实验试剂与仪器 | 第42页 |
| 3.2.2 多孔硅含能材料的制备 | 第42-43页 |
| 3.3 填充结果分析 | 第43-47页 |
| 3.3.1 填充结果计算 | 第43-44页 |
| 3.3.2 填充量和填充率结果分析 | 第44-45页 |
| 3.3.3 含能体系总质量和O/F摩尔比分析 | 第45-47页 |
| 3.4 发火性能测试 | 第47-53页 |
| 3.4.1 氧化剂填充方式的影响 | 第48-50页 |
| 3.4.2 腐蚀电流密度的影响 | 第50-51页 |
| 3.4.3 腐蚀时间的影响 | 第51-53页 |
| 3.5 本章小结 | 第53-55页 |
| 4 多孔硅活性保持研究 | 第55-66页 |
| 4.1 引言 | 第55-57页 |
| 4.2 多孔硅表面改性与表征 | 第57-61页 |
| 4.2.1 实验试剂与仪器 | 第57-58页 |
| 4.2.2 多孔硅表面的氢化硅烷化改性 | 第58页 |
| 4.2.3 改性结果表征 | 第58-61页 |
| 4.3 改性前后作用性能对比 | 第61-65页 |
| 4.3.1 热分析对比 | 第61-62页 |
| 4.3.2 点火性能对比 | 第62-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 5 总结与展望 | 第66-68页 |
| 5.1 总结 | 第66-67页 |
| 5.2 展望 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 附录A | 第75-81页 |
| 附录B | 第81页 |
