相变材料碲化锑二维薄片的可控制备与表征

摘要	第1-7页
Abstract	第7-11页
第一章 绪论	第11-33页
·引言	第11-16页
·相变材料的信息存储应用	第16-20页
·基于全光学操作的相变信息存储	第17-18页
·非易失相变随机存储器	第18-20页
·低维和二维相变材料研究现状	第20-27页
·薄膜相变材料的研究	第20-24页
·一维纳米线相变材料的研究	第24-27页
·本文研究内容及实验结果	第27-29页
参考文献	第29-33页
第二章 Sb_2Te_3二维薄片的制备与表征	第33-51页
·引言	第33-34页
·实验过程	第34-39页
·Sb_2Te_3二维薄片制备	第34-37页
·Sb_2Te_3二维薄片生长机制讨论	第37-39页
·Sb_2Te_3二维薄片的厚度统计分布	第39-42页
·Sb_2Te_3二维薄片的结构及成分表征	第42-48页
·表征仪器	第42-43页
·成分表征	第43-44页
·TEM结构表征	第44页
·拉曼表征	第44-48页
·本章小结	第48-49页
参考文献	第49-51页
第三章 Sb_2Te_3二维薄片的转移及相变表征	第51-67页
·引言	第51-52页
·Sb_2Te_3二维薄片的转移及电极制备	第52-55页
·Sb_2Te_3二维薄片的相变表征	第55-63页
·本章小结	第63-64页
参考文献	第64-67页
第四章 展望	第67-75页
·相变存储中新颖设计	第68-69页
·相变应用的未来趋势	第69-73页
参考文献	第73-75页
致谢	第75-77页
准备发表的文章目录	第77页