| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·本课题研究的意义 | 第8-9页 |
| ·本课题研究的背景 | 第9-11页 |
| ·气体核辐射探测器 | 第9-10页 |
| ·闪烁体核辐射探测器 | 第10页 |
| ·半导体核辐射探测器 | 第10-11页 |
| ·GaN材料的基本性质 | 第11-12页 |
| ·GaN基核辐射探测器的研究情况 | 第12-13页 |
| ·论文主要研究内容 | 第13-14页 |
| 第二章 PIN结构GaN/AlGaN基探测器的理论模型与仿真算法 | 第14-20页 |
| ·PIN结构GaN/AlGaN基探测器的理论模型 | 第14-17页 |
| ·PIN结构GaN/AlGaN基探测器的仿真算法 | 第17-18页 |
| ·有限体积仿真算法 | 第17页 |
| ·半导体漂移扩散模型 | 第17-18页 |
| ·本章小结 | 第18-20页 |
| 第三章 PIN结构GaN/AlGaN基核辐射探测器的性能仿真 | 第20-36页 |
| ·核辐射探测器的相关参数 | 第20-22页 |
| ·Visual-TCAD仿真软件介绍 | 第22-23页 |
| ·PIN结构GaN/AlGaN基核辐射探测器的设计结构 | 第23-26页 |
| ·器件仿真结构以及特性 | 第26-34页 |
| ·探测器仿真三维结构图 | 第26-27页 |
| ·探测器内部载流子分布情况 | 第27-28页 |
| ·探测器的结构能带图 | 第28-29页 |
| ·探测器的电学仿真特性 | 第29-32页 |
| ·探测器的α粒子仿真特性 | 第32-34页 |
| ·本章小结 | 第34-36页 |
| 第四章 PIN结构GaN/AlGaN基核辐射探测器的性能优化 | 第36-50页 |
| ·I区对探测器的性能影响及优化 | 第36-40页 |
| ·I层厚度对探测器性能的影响及优化 | 第36-39页 |
| ·I层掺杂浓度对探测器性能的影响及优化 | 第39-40页 |
| ·P区参数设计对探测器的性能优化 | 第40-44页 |
| ·P层厚度对探测器性能的影响及优化 | 第40-43页 |
| ·P层掺杂浓度对探测器性能的影响及优化 | 第43-44页 |
| ·N区参数设计对探测器的性能优化 | 第44-48页 |
| ·N层厚度对探测器性能的影响及优化 | 第44-47页 |
| ·N层掺杂浓度对探测器性能的影响及优化 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第五章 结构优化后核辐射探测器的性能测试 | 第50-58页 |
| ·环境温度对探测器性能的影响 | 第50-51页 |
| ·外加偏压对探测器性能的影响 | 第51-52页 |
| ·对入射能量不同α粒子的探测性能 | 第52-55页 |
| ·对入射能量不同β粒子的探测性能 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第六章 GaN基核辐射探测器的基本工艺实验 | 第58-64页 |
| ·GaN基核辐射探测器的表面欧姆接触工艺实验 | 第58-62页 |
| ·欧姆接触的合金设计方案 | 第58-59页 |
| ·欧姆接触的退火设计方案 | 第59-62页 |
| ·光刻板的制备 | 第62-63页 |
| ·光刻工艺简介 | 第62页 |
| ·光刻板的设计及制备 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第七章 研究总结与展望 | 第64-66页 |
| ·研究总结 | 第64-65页 |
| ·研究展望 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
