| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-22页 |
| ·IC封装的发展 | 第13-15页 |
| ·SOP芯片封装的优点及结构 | 第15-18页 |
| ·SOP芯片封装的优点 | 第15-16页 |
| ·S0P芯片封装的结构 | 第16-18页 |
| ·IC封装研究现状 | 第18-20页 |
| ·课题研究意义 | 第20-22页 |
| 第二章 金丝偏移和残余应力的研究方法 | 第22-50页 |
| ·实验研究金丝偏移 | 第22-32页 |
| ·概述 | 第22-23页 |
| ·IC封装流程 | 第23-24页 |
| ·实验材料的选择 | 第24-26页 |
| ·封装设备参数 | 第26-28页 |
| ·金线的键合 | 第28-29页 |
| ·模腔压力和温度的监控 | 第29-31页 |
| ·X射线拍照 | 第31-32页 |
| ·CAE研究金丝偏移 | 第32-37页 |
| ·概述 | 第32页 |
| ·理论分析 | 第32-33页 |
| ·模型建立 | 第33-35页 |
| ·流固耦合分析过程 | 第35-37页 |
| ·实验研究残余应力 | 第37-40页 |
| ·概述 | 第37-38页 |
| ·实验材料的选择 | 第38页 |
| ·实验流程说明 | 第38-39页 |
| ·应力检测设备应力偏光仪 | 第39-40页 |
| ·CAE研究残余应力 | 第40-48页 |
| ·概述 | 第40-41页 |
| ·流动残余应力计算简介 | 第41页 |
| ·热残余应力计算简介 | 第41-42页 |
| ·MOLDFLOW创建金丝 | 第42-46页 |
| ·充填过程设置 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第三章 工艺参数影响金丝偏移和残余应力的结果与讨论 | 第50-65页 |
| ·工艺参数影响金丝偏移的结果与讨论 | 第50-58页 |
| ·金丝偏移检测结果 | 第50-52页 |
| ·金丝偏移结果讨论 | 第52-58页 |
| ·小结 | 第58页 |
| ·工艺参数影响残余应力的结果与讨论 | 第58-65页 |
| ·塑封的目的及工艺原理 | 第58-59页 |
| ·光弹性原理 | 第59-61页 |
| ·残余应力检测结果 | 第61-62页 |
| ·残余应力结果与讨论 | 第62-64页 |
| ·小结 | 第64-65页 |
| 第四章CAE研究金丝偏移和残余应力的变化规律 | 第65-75页 |
| ·CAE研究金丝偏移规律 | 第65-69页 |
| ·流固耦合金丝偏移 | 第65-66页 |
| ·不同入射角度下压力对金线的影响 | 第66-67页 |
| ·X, Y速度分量对金线的影响 | 第67-69页 |
| ·小结 | 第69页 |
| ·CAE研究残余应力变化规律 | 第69-75页 |
| ·工艺参数设定 | 第69-70页 |
| ·保压压力变化对残余应力的影响 | 第70-72页 |
| ·注塑时间变化对残余应力的影响 | 第72-73页 |
| ·小结 | 第73-75页 |
| 第五章 结论与展望 | 第75-77页 |
| ·总结 | 第75页 |
| ·展望 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文及取得的相关科研成果 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |