硅太阳电池铝背场性能研究与优化
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·研究背景 | 第10-12页 |
| ·太阳电池发展历史 | 第12页 |
| ·太阳电池分类 | 第12-16页 |
| ·按照结构分类 | 第12-15页 |
| ·按照基体材料分类 | 第15页 |
| ·生产技术成熟度分类 | 第15-16页 |
| ·本文研究背景 | 第16-18页 |
| ·本文的研究内容及意义 | 第18-20页 |
| ·本文的研究内容 | 第18页 |
| ·本文的研究意义 | 第18-20页 |
| 第二章 测试原理及PC1D介绍 | 第20-33页 |
| ·测试原理 | 第20-25页 |
| ·Ⅰ-Ⅴ | 第20-23页 |
| ·ECV | 第23-25页 |
| ·少子寿命测试原理 | 第25页 |
| ·PC1D模拟简介 | 第25-26页 |
| ·模拟基本方程 | 第26-27页 |
| ·电流密度方程 | 第26页 |
| ·电流连续性方程 | 第26-27页 |
| ·泊松方程 | 第27页 |
| ·求解方程变量 | 第27-31页 |
| ·半导体中的光吸收 | 第27-28页 |
| ·禁带变窄效应 | 第28-29页 |
| ·迁移率 | 第29-30页 |
| ·半导体中的复合过程 | 第30-31页 |
| ·边界条件 | 第31-33页 |
| 第三章 铝背场特性及实验 | 第33-48页 |
| ·引言 | 第33-35页 |
| ·铝背场制备和形成过程 | 第35-38页 |
| ·实验 | 第38-47页 |
| ·烧结温度实验 | 第38-43页 |
| ·浆料对比实验 | 第43-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 单晶硅电池铝背场特性的仿真 | 第48-58页 |
| ·仿真模型方案 | 第48-49页 |
| ·铝背场掺杂浓度及分布对电池电性能的影响 | 第49-55页 |
| ·P+层掺杂浓度及深度 | 第49-52页 |
| ·深度因子(DEPTH FACTOR) | 第52-55页 |
| ·铝背场与衬底的综合作用 | 第55-57页 |
| ·铝背场与衬底少子寿命综合作用 | 第55-56页 |
| ·铝背场与衬底电阻率综合作用 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 结论 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 硕士期间发表论文 | 第66-67页 |
