| 目录 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-28页 |
| ·稀磁半导体及其特性 | 第10-14页 |
| ·稀磁半导体简介 | 第10-12页 |
| ·稀磁半导体的特性 | 第12-14页 |
| ·稀磁半导体的应用前景及其研究进展 | 第14-19页 |
| ·稀磁半导体的应用前景 | 第14-17页 |
| ·稀磁半导体的研究进展 | 第17-19页 |
| ·稀磁半导体的理论基础 | 第19-22页 |
| ·论文的选题依据以及内容概要 | 第22-24页 |
| 参考文献 | 第24-28页 |
| 第二章 GaN 基稀磁半导体薄膜材料的制备与表征 | 第28-46页 |
| ·GaN 基稀磁半导体材料的制备方法 | 第28-38页 |
| ·本文所用的制备方法及设备简介 | 第28-34页 |
| ·其它制备方法简介 | 第34-38页 |
| ·GaN 基稀磁半导体材料的表征手段 | 第38-45页 |
| 参考文献 | 第45-46页 |
| 第三章 N_2压强对 GaMnN 薄膜性质的影响 | 第46-58页 |
| ·实验方法 | 第46-47页 |
| ·实验结果和讨论 | 第47-54页 |
| ·结构性质分析 | 第47-49页 |
| ·表面形貌分析 | 第49-50页 |
| ·光学性质分析 | 第50-52页 |
| ·磁性分析 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 第四章 退火时间对 GaMnN 薄膜性质的影响 | 第58-70页 |
| ·实验方法 | 第58-59页 |
| ·结果与讨论 | 第59-65页 |
| ·XRD 分析 | 第59-61页 |
| ·XPS 分析 | 第61-62页 |
| ·Raman 分析 | 第62-63页 |
| ·磁性分析 | 第63-65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 第五章 Tb 掺杂的 GaN 和 AlGaN 薄膜的性质研究 | 第70-82页 |
| ·实验方法 | 第70-71页 |
| ·结果与讨论 | 第71-78页 |
| ·XRD 分析 | 第71-74页 |
| ·AFM 分析 | 第74-75页 |
| ·磁性分析 | 第75-78页 |
| ·本章小结 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-82页 |
| 第六章 Cr，Sm 共掺的 AlGaN 薄膜的性质研究 | 第82-94页 |
| ·实验方法 | 第82-83页 |
| ·结果与讨论 | 第83-90页 |
| ·晶体结构分析 | 第83-87页 |
| ·表面形貌分析 | 第87页 |
| ·样品磁性分析 | 第87-90页 |
| ·本章小结 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-94页 |
| 第七章 总结 | 第94-96页 |
| ·主要结论 | 第94-95页 |
| ·主要创新点 | 第95-96页 |
| 攻读博士学位期间完成的论文 | 第96-98页 |
| 致谢 | 第98页 |