| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 综述 | 第8-18页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·稀磁半导体的研究历史 | 第8-10页 |
| ·稀磁半导体的优点 | 第10-11页 |
| ·氧化物基稀磁半导体的优点 | 第10页 |
| ·锗基稀磁半导体的优点 | 第10-11页 |
| ·GaAs 基稀磁半导体的优点 | 第11页 |
| ·稀磁半导体的研究现状 | 第11-13页 |
| ·稀磁半导体的磁性来源 | 第13-15页 |
| ·本论文的主要内容 | 第15-18页 |
| 2 基本计算软件和 vasp 软件介绍 | 第18-22页 |
| ·基本计算方法 | 第18-20页 |
| ·第一性原理 | 第18页 |
| ·密度泛函理论（Density Functional Theory，DFT） | 第18-19页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理 | 第19页 |
| ·KS 方程(Kohn-Sham) | 第19页 |
| ·自洽-迭代方法（SCF） | 第19-20页 |
| ·vasp 软件介绍 | 第20-22页 |
| 3 共掺对氧化物/Ge 基稀磁半导体铁磁稳定性影响的研究 | 第22-26页 |
| ·引言 | 第22页 |
| ·计算细节 | 第22-23页 |
| ·计算结果与讨论 | 第23-25页 |
| ·结论 | 第25-26页 |
| 4 共掺对 GaAs 基稀磁半导体居里温度的影响研究 | 第26-32页 |
| ·引言 | 第26页 |
| ·计算细节 | 第26-27页 |
| ·计算结果与讨论 | 第27-30页 |
| ·结论 | 第30-32页 |
| 5 结论 | 第32-34页 |
| 致谢 | 第34-36页 |
| 参考文献 | 第36-40页 |
| 附录 | 第40页 |
