| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·硅基薄膜太阳能电池发展现状 | 第7-11页 |
| ·微晶硅太阳能电池国内外研究现状和发展趋势 | 第11-12页 |
| ·本论文主要研究内容及组织架构 | 第12-15页 |
| ·本论文的研究内容 | 第12-13页 |
| ·本论文的组织架构 | 第13-14页 |
| ·本论文的创新点与不足 | 第14-15页 |
| 第二章 过渡区微晶硅薄膜 VHF-PECVD 法制备与生长原理 | 第15-22页 |
| ·VHF-PECVD 原理 | 第15-17页 |
| ·等离子体 | 第15页 |
| ·化学气相沉积 | 第15-16页 |
| ·甚高频等离子体化学气相沉积 VHF-PECVD | 第16-17页 |
| ·薄膜生长原理 | 第17-22页 |
| ·薄膜生长模式 | 第17-18页 |
| ·μc-Si:H 薄膜生长原理 | 第18-22页 |
| 第三章 过渡区微晶硅的制备工艺和测试原理 | 第22-36页 |
| ·实验设备与材料 | 第22-29页 |
| ·实验设备 | 第22-25页 |
| ·实验材料 | 第25-26页 |
| ·制备流程 | 第26-29页 |
| ·微晶硅薄膜的测试原理 | 第29-36页 |
| ·薄膜厚度的测试 | 第29-30页 |
| ·薄膜光/暗电导率的测试 | 第30-32页 |
| ·薄膜成分的测试 | 第32-33页 |
| ·光学带隙的测量 | 第33-36页 |
| 第四章 过渡区微晶硅的光电特性研究 | 第36-65页 |
| ·硅烷浓度对过渡区微晶硅薄膜特性的影响 | 第37-44页 |
| ·硅烷浓度对结构特性的影响 | 第37-39页 |
| ·硅烷浓度对生长速率的影响 | 第39-40页 |
| ·硅烷浓度对电学特性的影响 | 第40-42页 |
| ·硅烷浓度对光学特性的影响 | 第42-44页 |
| ·衬底温度对过渡区微晶硅薄膜特性的影响 | 第44-51页 |
| ·衬底温度对结构特性的影响 | 第44-46页 |
| ·衬底温度对生长速率的影响 | 第46-47页 |
| ·衬底温度对电学特性的影响 | 第47-49页 |
| ·衬底温度对光学特性的影响 | 第49-51页 |
| ·辉光功率对过渡区微晶硅薄膜特性的影响 | 第51-58页 |
| ·辉光功率对结构特性的影响 | 第51-53页 |
| ·辉光功率对生长速率的影响 | 第53-54页 |
| ·辉光功率对电学特性的影响 | 第54-56页 |
| ·辉光功率对光学特性的影响 | 第56-58页 |
| ·沉积压强对过渡区微晶硅薄膜特性的影响 | 第58-65页 |
| ·沉积压强对结构特性的影响 | 第58-60页 |
| ·沉积压强对生长速率的影响 | 第60-62页 |
| ·沉积压强对电学特性的影响 | 第62-64页 |
| ·沉积压强对光学特性的影响 | 第64-65页 |
| 第五章 结论和展望 | 第65-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第73-74页 |
| 硕士期间参与的课题研究 | 第74页 |