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碳化硼光阴极的制备及其光电化学性能的研究

摘要第4-6页
abstract第6-7页
第1章 绪论第10-32页
    1.1 引言第10-11页
    1.2 半导体光电催化产氢概述第11-22页
        1.2.1 基本原理第12-15页
        1.2.2 影响半导体光催化产氢的因素第15-19页
        1.2.3 半导体光催化产氢的发展历史及研究现状第19-22页
    1.3 B_4C半导体光催化第22-27页
        1.3.1 B_4C薄膜的基本结构性质及研究现状第22-26页
        1.3.2 B_4C薄膜的应用第26-27页
    1.4 MoB和 Mo_2C概述第27-30页
        1.4.1 MoB和 Mo_2C的结构特点第27页
        1.4.2 合成方法概述第27-29页
        1.4.3 电催化领域的应用第29-30页
    1.5 本论文的研究内容和实际意义第30-32页
第2章 CC/B_4C-Mo半导体材料的制备及其光电催化性能的研究第32-57页
    2.1 引言第32-33页
    2.2 主要化学试剂、仪器设备及表征手段第33-35页
        2.2.1 主要化学试剂第33页
        2.2.2 实验仪器设备第33-34页
        2.2.3 样品表征第34-35页
        2.2.4 光电化学性能测试第35页
    2.3 镍负载的碳纤维布CC-Ni前驱体材料的制备与表征第35-37页
        2.3.1 CC-Ni前驱体材料的制备第35-36页
        2.3.2 CC-Ni前驱体材料的表征第36-37页
    2.4 CC/B_4C的制备与表征第37-40页
        2.4.1 CC/B_4C的制备第37页
        2.4.2 CC/B_4C的表征第37-40页
    2.5 CC/B_4C-Mo的制备与表征第40-46页
        2.5.1 CC/B_4C-Mo的制备第40-41页
        2.5.2 CC/B_4C-Mo的表征第41-46页
    2.6 光电化学性能的研究第46-56页
        2.6.4 IPCE光电转换效率测试第49-50页
        2.6.5 本章实验中相关变量对光电化学性能的影响第50-56页
    2.7 本章小结第56-57页
第3章 CC/B_4C-Au和 CC/B_4C-Pt的光电化学性能的研究第57-70页
    3.1 引言第57页
    3.2 CC/B_4C-Au和 CC/B_4C-Pt实验部分第57-60页
        3.2.1 化学试剂第58页
        3.2.2 实验仪器及设备第58-59页
        3.2.3 样品制备第59页
        3.2.4 表征手段第59-60页
        3.2.5 光电化学性能测试第60页
    3.3 CC/B_4C-Au和 CC/B_4C-Pt的形貌表征第60-63页
        3.3.1 SEM分析第60-63页
    3.4 CC/B_4C-Au和 CC/B_4C-Pt光电化学性能研究第63-68页
        3.4.1 LSV测试第63-64页
        3.4.2 I-t测试第64-65页
        3.4.3 EIS测试第65-68页
    3.5 本章小结第68-70页
第4章 结论与展望第70-72页
参考文献第72-79页
致谢第79-80页
攻读硕士期间的研究成果第80页

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