磁控溅射法制备As掺杂p型ZnO薄膜及电光性能研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-12页 |
| ·背景简介 | 第7-8页 |
| ·ZnO的物理特性 | 第8-9页 |
| ·ZnO薄膜的应用和发展 | 第9-10页 |
| ·ZnO在太阳能电池方面的应用 | 第9-10页 |
| ·ZnO在显示技术方面的应用 | 第10页 |
| ·ZnO在半导体器件方面的应用 | 第10页 |
| ·ZnO掺杂理论 | 第10-12页 |
| 第二章 ZnO薄膜的制备方法和表征 | 第12-23页 |
| ·制备ZnO薄膜的几种方法 | 第12-16页 |
| ·分子束外延法(MBE) | 第12页 |
| ·溶胶凝胶法(SGM) | 第12-13页 |
| ·化学气相沉积法(CVD) | 第13页 |
| ·有机金属化学气相淀积(MOCVD) | 第13-14页 |
| ·磁控溅射法 | 第14-16页 |
| ·实验采用磁控溅射仪器简介 | 第16-18页 |
| ·实验使用的薄膜表征方法介绍 | 第18-23页 |
| ·X射线衍射方法(XRD) | 第18-19页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第19-20页 |
| ·紫外可见分光光度计(UVS) | 第20页 |
| ·X射线光电子能谱分析(XPS) | 第20-21页 |
| ·四探针法测方块电阻的原理 | 第21-23页 |
| 第三章 ZnO磁控溅射靶材的制备和检测 | 第23-30页 |
| ·ZnO纯靶材的压制和煅烧 | 第23-25页 |
| ·掺杂Zn_3As_2的ZnO靶材的压制和煅烧 | 第25-26页 |
| ·不同掺杂比例的ZnO靶材的XPS分析 | 第26-28页 |
| ·磁控溅射镀膜实验操作流程 | 第28-30页 |
| ·玻璃衬底和石英衬底的清洗 | 第28页 |
| ·硅片衬底的清洗(RCA法) | 第28-29页 |
| ·实验流程操作 | 第29-30页 |
| 第四章 不同参数条件对ZnO薄膜性能的影响 | 第30-50页 |
| ·纯ZnO薄膜的性能 | 第30-33页 |
| ·XRD测试表征纯ZnO薄膜的结构 | 第30-31页 |
| ·SEM测试表征纯ZnO薄膜的形貌 | 第31-32页 |
| ·UVS测试表征纯ZnO薄膜的透过率 | 第32页 |
| ·AFM测试表征ZnO薄膜的外貌 | 第32-33页 |
| ·溅射压强对掺杂ZnO薄膜性能的影响 | 第33-38页 |
| ·不同溅射压强下薄膜结构 | 第33-35页 |
| ·不同溅射压强下薄膜表面形态 | 第35-36页 |
| ·不同溅射压强下薄膜的光学性能 | 第36-37页 |
| ·不同溅射压强下薄膜的电学性能 | 第37-38页 |
| ·溅射功率对掺杂ZnO薄膜性能的影响 | 第38-40页 |
| ·不同溅射压强下薄膜结构 | 第38-39页 |
| ·不同溅射功率下薄膜表面形态 | 第39-40页 |
| ·不同溅射功率下薄膜的光学性能 | 第40页 |
| ·衬底温度对As掺杂ZnO薄膜性能的影响 | 第40-43页 |
| ·不同衬底温度下薄膜结构 | 第41-42页 |
| ·不同衬底温度下制备的薄膜表面形态 | 第42-43页 |
| ·不同掺杂比例下的薄膜性能 | 第43-50页 |
| ·不同掺杂比例下薄膜的结构 | 第43-44页 |
| ·不同掺杂比例下薄膜的表面形态 | 第44-45页 |
| ·不同掺杂比例下薄膜的光学性能 | 第45-46页 |
| ·不同掺杂比例下薄膜的XPS测试 | 第46-47页 |
| ·不同掺杂比例下薄膜的电学性能 | 第47-50页 |
| 结论 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-57页 |
| 攻读硕士学位期间取得的科研成果 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
