| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-22页 |
| ·选题意义及背景 | 第8-10页 |
| ·国内外研究现状 | 第10-12页 |
| ·大尺寸KDP晶体快速生长所需条件 | 第12-17页 |
| ·溶液稳定性要求 | 第12-14页 |
| ·过饱和度的控制要求 | 第14-15页 |
| ·适宜的溶液pH值 | 第15-16页 |
| ·溶液成分 | 第16-17页 |
| ·论文研究所用软件介绍与组织结构 | 第17-22页 |
| ·论文中所应用软件介绍 | 第17-20页 |
| ·论文的组织结构 | 第20-22页 |
| 2 大尺寸KDP晶体生长装置分析及选型 | 第22-35页 |
| ·生长装置功能及要求设定 | 第22-23页 |
| ·晶体生长装置类型优缺点分析 | 第23-29页 |
| ·单槽水浴恒温培养装置 | 第23-24页 |
| ·锥底KDP类晶体单槽快速生长装置 | 第24-25页 |
| ·1000L循环过滤生长装置 | 第25-27页 |
| ·基于溶液循环流动法的三槽(四槽)晶体快速生长装置 | 第27-29页 |
| ·装置最终选定 | 第29-30页 |
| ·装置材料及晶体原料选用 | 第30-33页 |
| ·生长装置材料选择 | 第30-33页 |
| ·其他部分选材 | 第33页 |
| ·晶体生长原料选择 | 第33-35页 |
| 3 生长装置主体设计 | 第35-49页 |
| ·基于Ansys Workbench中Fluent的晶体生长槽内槽设计 | 第35-45页 |
| ·晶体生长槽内槽设计 | 第35-40页 |
| ·生长槽外槽设计 | 第40-45页 |
| ·溶解槽设计 | 第45-47页 |
| ·溶解槽内槽设计 | 第45-47页 |
| ·溶解槽外槽设计 | 第47页 |
| ·过热槽设计 | 第47-49页 |
| 4 生长装置回转、搅拌部分选择与设计 | 第49-65页 |
| ·晶体回转部分电机选择 | 第49-51页 |
| ·晶体回转部分籽晶架设计 | 第51-61页 |
| ·籽晶架轴径,轴长设计 | 第51-54页 |
| ·籽晶架撑晶板部分设计 | 第54-58页 |
| ·籽晶架撑晶板部分优化 | 第58-61页 |
| ·搅拌机构选择与设计 | 第61-65页 |
| ·水浴搅拌器选择及搅拌轴设计 | 第62-64页 |
| ·溶解槽内槽搅拌选择 | 第64-65页 |
| 5 装置循环系统及相关部分设计 | 第65-75页 |
| ·溶液循环系统 | 第65-70页 |
| ·循环系统中溶液输送装置 | 第65-66页 |
| ·循环管路设计 | 第66-70页 |
| ·加热及测温装置选型 | 第70-71页 |
| ·测温设备选型 | 第70页 |
| ·加热装置 | 第70-71页 |
| ·去离子及过滤、杀菌装置 | 第71-73页 |
| ·去离子水装置 | 第71页 |
| ·过滤装置 | 第71-73页 |
| ·装置装配及清洗 | 第73-75页 |
| 结论 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-79页 |
| 附录A 变频器参数设置 | 第79-80页 |
| 附录B 籽晶架优化设计详细参数 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |