| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| ·GaN材料 | 第10-14页 |
| ·以GaN为代表的第三代半导体材料的兴起 | 第10-11页 |
| ·GaN及其异质结材料的研究状况 | 第11-13页 |
| ·GaN基HEMT的研究进展 | 第13-14页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT器件优势及面临的挑战 | 第14-17页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT器件的应用优势 | 第14-15页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT大规模应用需要解决的问题 | 第15-17页 |
| ·本文的工作内容及其意义 | 第17-19页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT结构、原理以及制作 | 第19-32页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT的结构和工作原理 | 第19-20页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT的二维电子气 | 第20-21页 |
| ·极化效应 | 第21-25页 |
| ·晶格结构 | 第21-22页 |
| ·自发极化效应 | 第22-23页 |
| ·压电极化效应 | 第23-25页 |
| ·AlGaN/GaN器件的材料与制备 | 第25-31页 |
| ·衬底材料 | 第25-26页 |
| ·缓冲层 | 第26-27页 |
| ·GaN材料的制备 | 第27-28页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT的工艺流程 | 第28-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应探究 | 第32-43页 |
| ·电流崩塌现象 | 第32-33页 |
| ·GaN基HEMT电流崩塌原理 | 第33-36页 |
| ·应力模型 | 第34页 |
| ·虚栅模型 | 第34-36页 |
| ·对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌的抑制方法 | 第36-42页 |
| ·表面钝化处理 | 第36-38页 |
| ·场板结构 | 第38-41页 |
| ·增加AlGaN帽层 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HEMT的电荷控制解析模型 | 第43-69页 |
| ·异质结势阱中二维电子气密度 | 第43-45页 |
| ·各种费米能级与二维电子气关系模型 | 第45-50页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT电荷控制模型 | 第50-53页 |
| ·我们的AlGaN/GaN HEMT电荷控制解析模型一 | 第53-60页 |
| ·费米能级与二维电子气关系的近似 | 第53-57页 |
| ·电荷控制模型 | 第57-60页 |
| ·我们的AlGaN/GaN HEMT电荷控制解析模型二 | 第60-68页 |
| ·E_F与n_s的近似式 | 第60-64页 |
| ·新的电荷控制模型 | 第64-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 第五章 结论 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-80页 |
| 研究成果 | 第80页 |
