碳基纳米器件的电磁输运性质研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| ·自旋电子学 | 第8-12页 |
| ·自旋电子学简介 | 第8-9页 |
| ·自旋电子注入 | 第9-10页 |
| ·自旋极化 | 第10-12页 |
| ·自旋电子器件 | 第12-14页 |
| ·有机自旋阀 | 第12页 |
| ·磁 p-n 结 | 第12-13页 |
| ·热电子自旋管 | 第13页 |
| ·Datta-Das 晶体管 | 第13-14页 |
| ·自旋场效应晶体管研究进展 | 第14-16页 |
| ·本论文的研究目的和意义 | 第16页 |
| ·本论文的章节安排 | 第16-18页 |
| 第二章 理论基础和研究方法 | 第18-30页 |
| ·引言 | 第18页 |
| ·量子输运 | 第18-20页 |
| ·相干输运 | 第18-19页 |
| ·散射输运 | 第19-20页 |
| ·非平衡格林函数方法 | 第20-29页 |
| ·非平衡格林函数 | 第20-26页 |
| ·自能∑和∑> | 第26-27页 |
| ·电流 | 第27-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 物理模型和公式计算 | 第30-36页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·物理模型 | 第30-31页 |
| ·公式计算 | 第31-35页 |
| ·磁阻 | 第35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 硅基场效应晶体管的自旋输运特性 | 第36-49页 |
| ·引言 | 第36页 |
| ·晶体硅的自旋输运特性 | 第36-38页 |
| ·相干输运 | 第38-45页 |
| ·散射输运 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第五章 石墨烯场效应晶体管自旋输运特性 | 第49-71页 |
| ·引言 | 第49-50页 |
| ·AGNR 的自旋输运 | 第50-59页 |
| ·无掺杂的 AGNR 的自旋输运 | 第50-54页 |
| ·掺杂和边缘缺陷下的 AGNR 的自旋输运 | 第54-59页 |
| ·ZGNR 的自旋输运 | 第59-67页 |
| ·无掺杂的 ZGNR 的自旋输运 | 第59-62页 |
| ·掺杂和缺陷的 ZGNR 的自旋输运 | 第62-67页 |
| ·ZGNR-FET 的自旋电学特性 | 第67-69页 |
| ·本章小结 | 第69-71页 |
| 第六章 总结与展望 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-76页 |
| 附录 1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第76-77页 |
| 附录 2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第77-78页 |
| 附录 3 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
