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共轭链长对低并噻吩分子电子器件NDR位置的影响及多功能器件的设计

摘要第1-5页
Abstract第5-8页
第一章 前言第8-14页
   ·分子器件概述第9-11页
     ·分子器件的研究进展第9-11页
   ·分子电子器件的新性质第11-13页
     ·分子导线和纳米导线第11页
     ·分子整流器第11页
     ·场效应晶体管第11页
     ·负微分电阻效应第11-12页
     ·电开关装置第12页
     ·光感开关第12页
     ·纳米传感装置第12-13页
     ·分子自旋阀装置第13页
   ·本论文选题依据第13-14页
第二章 分子器件的理论研究方法第14-25页
   ·密度泛函理论第14页
   ·Born-Oppenheimer 绝热近似第14-15页
   ·Hohenberg-Kohn 定理第15-18页
     ·Kohn-Sham 方程第16-18页
   ·交换相关泛函第18-19页
     ·局域密度近似泛函( Local Density Approximation 简称 LDA)第18-19页
     ·广义梯度近似泛函(Generalized Gradient Approximation 简称 GGA)第19页
   ·平衡格林函数第19-25页
     ·非平衡格林函数第22-25页
第三章 共轭长度对 NDR 位置的影响及多功能分子的设计第25-46页
   ·引言第25-26页
   ·模型和计算方法第26-27页
   ·结果与讨论第27-45页
   ·结论第45-46页
参考文献第46-51页
致谢第51-52页
在学期间公开发表论文及著作情况第52页

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