| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-28页 |
| ·物质磁性及纳米磁性材料 | 第12-17页 |
| ·物质磁性的发展及分类 | 第12-15页 |
| ·纳米科技及纳米磁性材料 | 第15-17页 |
| ·磁记录概述 | 第17-21页 |
| ·磁记录的发展历程 | 第17-18页 |
| ·典型的磁记录模式 | 第18-21页 |
| ·交换偏置 | 第21-26页 |
| ·基本现象 | 第21-23页 |
| ·纳米结构的交换偏置研究的主要内容 | 第23-26页 |
| ·本论文的主要工作 | 第26-28页 |
| 第2章 磁系统模拟中的修正Monte Carlo方法 | 第28-44页 |
| ·计算机模拟方法概论 | 第28-29页 |
| ·计算机模拟方法的优势 | 第28-29页 |
| ·Monte Carlo方法 | 第29-33页 |
| ·统计力学中的Monte Carlo方法 | 第30-31页 |
| ·Monte Carlo方法中的随机数 | 第31-32页 |
| ·周期性边界条件 | 第32-33页 |
| ·Monte Carlo Metropolis算法的修正 | 第33-42页 |
| ·目前典型的修正Metropolis算法 | 第34-35页 |
| ·Stoner-Wohlfarth模型 | 第35-41页 |
| ·本论文中使用的Metropolis算法 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 第3章 铁磁-非晶态双层磁性薄膜的交换偏置效应 | 第44-59页 |
| ·实验基础 | 第44页 |
| ·建立模型 | 第44-45页 |
| ·结果与讨论 | 第45-57页 |
| ·畴内自旋各向异性方向随机 | 第45-46页 |
| ·畴内自旋各向异性择优取向 | 第46-53页 |
| ·畴内自旋各向异性方向确定但大小服从正态分布 | 第53-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 第4章 铁磁-反铁磁双层磁性薄膜的磁学行为 | 第59-75页 |
| ·铁磁-反铁磁双层膜的交换偏置 | 第59-67页 |
| ·铁磁各向异性对磁化曲线的影响 | 第59-60页 |
| ·反铁磁层的磁滞效应 | 第60-61页 |
| ·反铁磁自旋各向异性大小对偏置效应的影响 | 第61-64页 |
| ·冷却场对偏置效应的影响 | 第64-65页 |
| ·界面耦合对偏置效应的影响 | 第65-67页 |
| ·具有一定位错的铁磁-反铁磁双层膜 | 第67-72页 |
| ·铁磁各向异性对磁化曲线的影响 | 第67-68页 |
| ·反铁磁各向异性的的影响 | 第68-70页 |
| ·冷却场的影响 | 第70-71页 |
| ·界面耦合的影响 | 第71-72页 |
| ·同参数下两种结构模型的比较 | 第72-74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 第5章 结论 | 第75-78页 |
| 参考文献 | 第78-82页 |
| 致谢 | 第82页 |