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AZO透明导电氧化物靶材及其薄膜制备的研究

摘要第1-7页
Abstract第7-13页
1 绪论第13-41页
   ·引言第13-15页
   ·透明导电氧化物及其现状第15-19页
   ·ZnO的基本性质第19-22页
   ·ZnO基半导体的点缺陷、掺杂及接触第22-28页
   ·溅射用AZO靶材的现状第28-31页
   ·分散体系中颗粒的相互作用第31-37页
   ·本课题研究的目的、意义和内容第37-41页
2 实验与研究方法介绍第41-53页
   ·ZnO-Al_2O_3混合粉体料浆的制备第41-42页
   ·注浆成型与烧结第42页
   ·磁控溅射法制备透明导电薄膜第42-48页
   ·材料的表征方法第48-53页
3 ZnO-Al_2O_3混合粉体水基悬浮液性能的研究第53-71页
   ·前言第53页
   ·ZnO、Al_2O_3粉体的特性第53-57页
   ·球磨时间的影响第57-58页
   ·pH值及添加剂的影响第58-63页
   ·固含量的研究第63-66页
   ·Al_2O_3的分布的研究第66-69页
   ·本章小结第69-71页
4 超高密度AZO靶材的胶态成型与烧结的研究第71-92页
   ·前言第71-72页
   ·ZnO粉末的XRD分析第72页
   ·ZnO-Al_2O_3混合粉体注浆生坯的性能第72-78页
   ·烧结温度的确定第78-80页
   ·ZnO-Al_2O_3混合粉体烧结体的性能第80-87页
   ·Al元素的分布第87-89页
   ·AZO靶材的生坯与烧结体第89-90页
   ·本章小结第90-92页
5 200℃基底AZO透明导电薄膜制备的研究第92-116页
   ·前言第92页
   ·溅射时间的影响第92-99页
   ·靶基距的影响第99-102页
   ·溅射功率的影响第102-105页
   ·工作气压的影响第105-109页
   ·氧分压的影响第109-113页
   ·低电阻率的AZO薄膜第113-114页
   ·本章小结第114-116页
6 400℃基底透明导电薄膜制备的研究第116-138页
   ·前言第116页
   ·基底温度的影响第116-123页
   ·溅射功率的影响第123-128页
   ·薄膜厚度的影响第128-131页
   ·工作气压的影响第131-132页
   ·靶基距的影响第132-135页
   ·氧分压的影响第135-136页
   ·本章小结第136-138页
7 双层透明导电薄膜及结构区域模型的探讨与研究第138-157页
   ·前言第138页
   ·AZO/ZnO双层组合透明导电薄膜第138-144页
   ·ITO/AZO双层组合透明导电薄膜第144-151页
   ·结构区域模型的探讨与Thornton模型的改进第151-155页
   ·本章小结第155-157页
8 全文总结第157-159页
   ·主要结论第157-158页
   ·论文研究工作的主要创新点第158-159页
致谢第159-160页
参考文献第160-174页
附录1 攻读学位期间发表、接受和已投稿的论文第174页

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