金属衬底对电沉积铜互连层氧化可靠性能的影响

摘要	第1-5页
ABSTRACT	第5-11页
第一章 绪论	第11-32页
·铜互连在微电子中的应用	第11-18页
·铜互连在IC 芯片中的应用	第11-13页
·铜互连在电子封装中的应用	第13-18页
·太阳能电池中铜互连的应用	第18页
·铜互连工艺	第18-22页
·大马士革工艺	第18-21页
·引线框架加工工艺	第21-22页
·铜互连的可靠性问题	第22-24页
·铜氧化失效研究现状	第24-30页
·铜引线框架氧化失效现象	第24-25页
·铜合金材料氧化失效问题研究现状及进展	第25-30页
·本课题研究意义及内容	第30-32页
第二章 实验及研究方法	第32-38页
·材料制备及处理工艺	第32-34页
·衬底材料制备	第32-33页
·铜电沉积工艺	第33-34页
·氧化处理	第34页
·氧化膜检测	第34-38页
·氧化膜形貌观察	第34页
·氧化膜厚度测定	第34-36页
·电沉积铜层的取向	第36-37页
·氧化膜结合力测试	第37-38页
第三章 不同衬底铜层的组织结构及其氧化/失效特性	第38-56页
·三种衬底金属的形貌与组织结构	第38-41页
·不同衬底上电沉积铜层的形貌与组织结构	第41-43页
·不同衬底上铜层的氧化特性	第43-54页
·氧化膜形貌	第43-51页
·温度对铜氧化膜的影响	第51-52页
·电子封装中铜氧化对树脂结合性能的影响	第52-54页
·本章小结	第54-56页
第四章 铜氧化动力学研究	第56-71页
·铜层氧化膜厚度及其与温度、时间的关系	第56-59页
·衬底上电沉积铜层氧化机理分析	第59-69页
·金属氧化的基本过程	第59页
·影响材料抗氧化性能的因素	第59-61页
·铜氧化动力学描述	第61-66页
·氧化机理分析	第66-69页
·本章小结	第69-71页
第五章 全文总结及展望	第71-73页
·全文总结	第71-72页
·研究展望	第72-73页
参考文献	第73-78页
致谢	第78-79页
攻读硕士学位期间已发表或录用的论文	第79-81页