| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 前言 | 第9-11页 |
| 第二章 文献综述 | 第11-29页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xO的基本结构和性质 | 第11-16页 |
| ·ZnO的结构和性质 | 第11-13页 |
| ·MgO的结构和性质 | 第13页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xO的结构及基本性质 | 第13-15页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的光学性能 | 第15-16页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xO三元合金的研究现状与应用 | 第16-22页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的研究现状 | 第16-20页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xO三元合金应用及其理论介绍 | 第20-22页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的p型掺杂研究 | 第22-27页 |
| ·ZnO薄膜中的缺陷与掺杂 | 第22-25页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的p型掺杂研究进展 | 第25-27页 |
| ·小结 | 第27-29页 |
| 第三章 实验方法及测试手段 | 第29-34页 |
| ·直流反应磁控溅射方法 | 第29-31页 |
| ·实验过程 | 第31-33页 |
| ·靶材制备 | 第31-32页 |
| ·衬底及其清洗 | 第32页 |
| ·薄膜制备过程 | 第32-33页 |
| ·薄膜性能测试手段 | 第33-34页 |
| 第四章 NH_3作为N掺杂源制备Al-N共掺Zn_(1-x)Mg_xO薄膜 | 第34-50页 |
| ·衬底温度对Al-N共掺Zn_(0.95)Mg_(0.05)O薄膜的影响 | 第34-41页 |
| ·直流磁控溅射制备Al-N共掺Zn_(0.95)Mg_(0.05)O薄膜 | 第34-35页 |
| ·衬底温度对Al-N共掺Zn_(0.95)Mg_(0.05)O薄膜结晶质量的影响 | 第35-37页 |
| ·衬底温度对Al-N共掺Zn_(0.95)Mg_(0.05)O薄膜电学性能的影响 | 第37-39页 |
| ·衬底温度对Al-N共掺Zn_(0.95)Mg_(0.05)O薄膜光学性能的影响 | 第39-41页 |
| ·衬底温度对Al-N共掺Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的作用机理 | 第41-43页 |
| ·不同Mg含量对Al-N共掺p型Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的影响 | 第43-46页 |
| ·Mg掺杂对p型Zn_(1-x)Mg_xO薄膜结晶质量的影响 | 第43-44页 |
| ·Mg掺杂对p型Zn_(1-x)Mg_xO薄膜电学性能的影响 | 第44-45页 |
| ·Mg掺杂对p型Zn_(1-x)Mg_xO薄膜光学性能的影响 | 第45-46页 |
| ·在单晶硅衬底上制备Al-N共掺p型Zn_(0.9)Mg_(0.1)O薄膜 | 第46-48页 |
| ·小结 | 第48-50页 |
| 第五章 N_2O作为N掺杂源制备Al-N共掺Zn_(1-x)Mg_xO薄膜 | 第50-68页 |
| ·不同N_2O分压比条件下制备Al-N共掺Zn_(0.95)Mg_(0.05)O薄膜 | 第51-59页 |
| ·不同N_2O分压比对Al-N共掺Zn_(0.95)Mg_(0.05)O薄膜结晶质量的影响 | 第51-54页 |
| ·不同N_2O分压比对Al-N共掺Zn_(0.95)Mg_(0.05)O薄膜电学性能的影响 | 第54-57页 |
| ·Al-N共掺Zn_(0.95)Mg_(0.05)O薄膜制备中N_2O分压比变化的作用机理 | 第57-58页 |
| ·Mg掺杂对Al-N共掺Zn_(0.95)Mg_(0.05)O薄膜光学性能的影响 | 第58-59页 |
| ·不同N源制备p型Al-N共掺Zn_(0.95)Mg_(0.05)O薄膜的比较 | 第59-60页 |
| ·退火对Al-N共掺Zn_(1-x)Mg_xO薄膜性能的影响 | 第60-67页 |
| ·Al-N共掺Zn_(0.9)Mg_(0.1)O薄膜的制备及退火过程 | 第61-62页 |
| ·退火对Al-N共掺Zn_(0.9)Mg_(0.1)O薄膜结晶质量的影响 | 第62-63页 |
| ·退火对Al-N共掺Zn_(0.9)Mg_(0.1)O薄膜电学性能的影响 | 第63-64页 |
| ·退火Al-N共掺Zn_(0.9)Mg_(0.1)O薄膜的XPS测试结果 | 第64-66页 |
| ·退火对Al-N共掺Zn_(0.9)Mg_(0.1)O薄膜光学性能的影响 | 第66-67页 |
| ·小结 | 第67-68页 |
| 第六章 总结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 附录Ⅰ.硕士生学习期间完成的论文 | 第75-76页 |
| 附录Ⅱ.致谢 | 第76页 |
