GaAs基InSb薄膜的分子束外延生长及其结构与性能
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-23页 |
| ·课题背景 | 第9-10页 |
| ·InSb 材料的特性及其应用 | 第10-12页 |
| ·InSb/GaAs 薄膜的制备 | 第12-16页 |
| ·薄膜的异质外延生长 | 第12-13页 |
| ·InSb/GaAs 薄膜的制备方法 | 第13-16页 |
| ·分子束外延(MBE)技术 | 第16-19页 |
| ·分子束外延的原理 | 第16-17页 |
| ·分子束外延的设备结构 | 第17-19页 |
| ·分子束外延的主要特征 | 第19页 |
| ·MBE 生长InSb/GaAs 薄膜的影响因素 | 第19-22页 |
| ·衬底温度的影响 | 第19-20页 |
| ·V/III 束流比的影响 | 第20-21页 |
| ·生长速率的影响 | 第21页 |
| ·衬底偏向角的影响 | 第21-22页 |
| ·本文研究的目的与主要内容 | 第22-23页 |
| 第2章 样品制备与分析方法 | 第23-30页 |
| ·InSb/GaAs 薄膜的制备 | 第23-27页 |
| ·MBE 工艺过程简述 | 第23页 |
| ·衬底的质量要求与处理 | 第23-24页 |
| ·薄膜表面再构观察 | 第24-27页 |
| ·样品及其生长工艺参数 | 第27-29页 |
| ·分析测试方法 | 第29-30页 |
| ·晶体结构特性分析 | 第29页 |
| ·表面形貌分析 | 第29页 |
| ·电学性能分析 | 第29页 |
| ·界面结构分析 | 第29-30页 |
| 第3章 InSb/GaAs 薄膜的分子束外延生长 | 第30-38页 |
| ·MBE 各源束流的校准 | 第30-31页 |
| ·RHEED 监控薄膜外延生长过程 | 第31-34页 |
| ·低温InSb 缓冲层的生长速率 | 第34-35页 |
| ·InSb 外延薄膜的生长温度 | 第35-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第4章 InSb/GaAs 薄膜的结构与电学性能 | 第38-55页 |
| ·InSb/GaAs 薄膜表面形貌的分析 | 第38-42页 |
| ·薄膜厚度对表面形貌的影响 | 第38-41页 |
| ·缓冲层厚度对表面形貌的影响 | 第41-42页 |
| ·InSb/GaAs 薄膜的晶体结构特性分析 | 第42-47页 |
| ·InSb/GaAs 薄膜结晶质量分析 | 第42-44页 |
| ·InSb/GaAs 薄膜应变弛豫分析 | 第44-47页 |
| ·InSb/GaAs 薄膜的界面结构分析 | 第47-50页 |
| ·InSb/GaAs 薄膜的电学性能分析 | 第50-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第5章 InSb/GaAs 薄膜外延生长的模拟 | 第55-66页 |
| ·动力学蒙特卡罗法与SOS 模型 | 第55-57页 |
| ·建模过程与算法简介 | 第57-59页 |
| ·模拟结果与讨论 | 第59-63页 |
| ·岛间接连对薄膜表面形貌的影响 | 第63-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 结论 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 哈尔滨工业大学硕士学位论文原创性声明 | 第71页 |
| 哈尔滨工业大学硕士学位论文使用授权书 | 第71页 |
| 哈尔滨工业大学硕士学位涉密论文管理 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
