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含有机配体的多元金属硒/碲化物的合成,结构及性能研究

第一章 绪 论第1-26页
 1 前言第8-9页
 2 文献综述第9-26页
   ·合成方法第9-12页
     ·高温法第10页
     ·中温法第10-11页
     ·低温法第11-12页
   ·溶剂热生长技术(solvothermal technique)第12-17页
     ·反应试剂第12-16页
     ·反应容器第16页
     ·溶剂热反应第16-17页
   ·溶剂热合成的多元金属硫族化合物第17-20页
   ·多元金属硫族化合物的结构特征第20-22页
     ·化合物的成键作用第20页
     ·溶剂在多元金属硫族化合物中的作用第20页
     ·晶体结构的低维性第20-21页
     ·介稳相第21页
     ·电子结构第21-22页
   ·影响晶体结构的因素第22-23页
     ·碱金属A+的数量第22页
     ·阳离子的大小第22-23页
     ·M的影响第23页
   ·有机溶剂热生长技术的应用第23-25页
     ·制备纳米级的半导体薄膜和半导体微晶第24-25页
     ·离子交换特性的利用第25页
   ·有关多元金属硫族化合物研究的不足第25-26页
第二章 研究方法和方案第26-29页
 1 本课题研究的内容第26页
 2 研究方法和方案第26-27页
   ·分子设计第26-27页
     ·中心离子的选择第26-27页
     ·配体的选择第27页
   ·溶剂的选择第27页
   ·反应条件的控制第27页
 3 结构和性能表征方法第27-29页
第三章 实 验 部 分第29-42页
 1 实验药品和实验仪器第29-30页
   ·实验药品第29-30页
   ·实验仪器第30页
 2 前躯体K2Se,K2Se4, K2Te2的合成第30-32页
   ·实验装置图第30-31页
   ·合成第31-32页
 3 AxMyM′y′Qz合成第32-39页
   ·合成的一般步骤第32页
   ·合成的AxMyM′y′Qz第32-39页
     ·[(enH)2(enH2) Sn2Se6]的合成第38页
     ·[Mn(en)3]2.Sn2Se4Te2的合成第38-39页
 4 晶体化学成分测定第39页
   ·[(enH)2(enH2) Sn2Se6]化学组成的测定第39页
   ·[Mn(en)3]2.Sn2Se4Te2化学组成的测定第39页
 5 单晶结构测定第39-40页
   ·[(enH)2(enH2) Sn2Se6] 单晶结构测定第40页
   ·[Mn(en)3]2.Sn2Se4Te2单晶结构测定第40页
 6 UV-VIS-NIR反射光谱 的 测 定第40-41页
   ·涂膜的涂布及制备第40-41页
 7 热分析第41-42页
   ·[(enH)2(enH2) Sn2Se6]的 热分析第41页
   ·[Mn(en)3]2.Sn2Se4Te2的 热分析第41-42页
第四章 结果与讨论第42-69页
 1 合成的新型化合物第42页
 2 晶体结构描述第42-55页
   ·[(enH)2(enH2) Sn2Se6]第42-47页
   ·[Mn(en)3]2.Sn2Se4Te2]第47-53页
   ·MyLnSn y'Qz(Q=Se,Te) 型硫族化合物的晶体结构特征第53-55页
     ·Zintl阴离子 [SnyQz]x-第53-54页
     ·阳离子大小对晶体结构的影响第54-55页
     ·配体对晶体结构的影响第55页
 3 结构与性能的关系第55-59页
   ·半导体性质第55页
   ·[(enH)2(enH2)Sn2Se6]的性能第55-57页
     ·光吸收性能第55-57页
   ·[Mn(en)3]2.Sn2Se4Te2的性能研究第57-59页
     ·光吸收性能第57-58页
     ·热稳定性第58-59页
 4 溶剂热反应的讨论第59-66页
   ·溶剂第59-60页
   ·配体第60-62页
     ·溶剂第60-61页
     ·pH值第61页
     ·配体的形状结构第61-62页
   ·中心离子第62-64页
   ·反应配比:第64页
   ·反应温度:第64-66页
     ·粘度的影响第65页
     ·扩散系数的影响第65页
     ·成核速率的影响第65-66页
   ·反应物的混合情况第66页
   ·反应时间:第66页
 5 结论第66-69页
参考文献第69-74页
致 谢第74-75页

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