第一章 绪 论 | 第1-26页 |
1 前言 | 第8-9页 |
2 文献综述 | 第9-26页 |
·合成方法 | 第9-12页 |
·高温法 | 第10页 |
·中温法 | 第10-11页 |
·低温法 | 第11-12页 |
·溶剂热生长技术(solvothermal technique) | 第12-17页 |
·反应试剂 | 第12-16页 |
·反应容器 | 第16页 |
·溶剂热反应 | 第16-17页 |
·溶剂热合成的多元金属硫族化合物 | 第17-20页 |
·多元金属硫族化合物的结构特征 | 第20-22页 |
·化合物的成键作用 | 第20页 |
·溶剂在多元金属硫族化合物中的作用 | 第20页 |
·晶体结构的低维性 | 第20-21页 |
·介稳相 | 第21页 |
·电子结构 | 第21-22页 |
·影响晶体结构的因素 | 第22-23页 |
·碱金属A+的数量 | 第22页 |
·阳离子的大小 | 第22-23页 |
·M的影响 | 第23页 |
·有机溶剂热生长技术的应用 | 第23-25页 |
·制备纳米级的半导体薄膜和半导体微晶 | 第24-25页 |
·离子交换特性的利用 | 第25页 |
·有关多元金属硫族化合物研究的不足 | 第25-26页 |
第二章 研究方法和方案 | 第26-29页 |
1 本课题研究的内容 | 第26页 |
2 研究方法和方案 | 第26-27页 |
·分子设计 | 第26-27页 |
·中心离子的选择 | 第26-27页 |
·配体的选择 | 第27页 |
·溶剂的选择 | 第27页 |
·反应条件的控制 | 第27页 |
3 结构和性能表征方法 | 第27-29页 |
第三章 实 验 部 分 | 第29-42页 |
1 实验药品和实验仪器 | 第29-30页 |
·实验药品 | 第29-30页 |
·实验仪器 | 第30页 |
2 前躯体K2Se,K2Se4, K2Te2的合成 | 第30-32页 |
·实验装置图 | 第30-31页 |
·合成 | 第31-32页 |
3 AxMyM′y′Qz合成 | 第32-39页 |
·合成的一般步骤 | 第32页 |
·合成的AxMyM′y′Qz | 第32-39页 |
·[(enH)2(enH2) Sn2Se6]的合成 | 第38页 |
·[Mn(en)3]2.Sn2Se4Te2的合成 | 第38-39页 |
4 晶体化学成分测定 | 第39页 |
·[(enH)2(enH2) Sn2Se6]化学组成的测定 | 第39页 |
·[Mn(en)3]2.Sn2Se4Te2化学组成的测定 | 第39页 |
5 单晶结构测定 | 第39-40页 |
·[(enH)2(enH2) Sn2Se6] 单晶结构测定 | 第40页 |
·[Mn(en)3]2.Sn2Se4Te2单晶结构测定 | 第40页 |
6 UV-VIS-NIR反射光谱 的 测 定 | 第40-41页 |
·涂膜的涂布及制备 | 第40-41页 |
7 热分析 | 第41-42页 |
·[(enH)2(enH2) Sn2Se6]的 热分析 | 第41页 |
·[Mn(en)3]2.Sn2Se4Te2的 热分析 | 第41-42页 |
第四章 结果与讨论 | 第42-69页 |
1 合成的新型化合物 | 第42页 |
2 晶体结构描述 | 第42-55页 |
·[(enH)2(enH2) Sn2Se6] | 第42-47页 |
·[Mn(en)3]2.Sn2Se4Te2] | 第47-53页 |
·MyLnSn y'Qz(Q=Se,Te) 型硫族化合物的晶体结构特征 | 第53-55页 |
·Zintl阴离子 [SnyQz]x- | 第53-54页 |
·阳离子大小对晶体结构的影响 | 第54-55页 |
·配体对晶体结构的影响 | 第55页 |
3 结构与性能的关系 | 第55-59页 |
·半导体性质 | 第55页 |
·[(enH)2(enH2)Sn2Se6]的性能 | 第55-57页 |
·光吸收性能 | 第55-57页 |
·[Mn(en)3]2.Sn2Se4Te2的性能研究 | 第57-59页 |
·光吸收性能 | 第57-58页 |
·热稳定性 | 第58-59页 |
4 溶剂热反应的讨论 | 第59-66页 |
·溶剂 | 第59-60页 |
·配体 | 第60-62页 |
·溶剂 | 第60-61页 |
·pH值 | 第61页 |
·配体的形状结构 | 第61-62页 |
·中心离子 | 第62-64页 |
·反应配比: | 第64页 |
·反应温度: | 第64-66页 |
·粘度的影响 | 第65页 |
·扩散系数的影响 | 第65页 |
·成核速率的影响 | 第65-66页 |
·反应物的混合情况 | 第66页 |
·反应时间: | 第66页 |
5 结论 | 第66-69页 |
参考文献 | 第69-74页 |
致 谢 | 第74-75页 |