过渡区材料及在PIN太阳能电池中的应用研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| ·薄膜硅材料的研究现状 | 第8-12页 |
| ·非晶硅材料 | 第8-10页 |
| ·微晶硅材料 | 第10-11页 |
| ·过渡区材料 | 第11-12页 |
| ·单结薄膜太阳能电池的发展现状 | 第12-14页 |
| ·本论文的研究内容 | 第14-15页 |
| 第二章 硅薄膜的沉积和测试原理 | 第15-26页 |
| ·薄膜的物理生长过程 | 第15-16页 |
| ·PECVD系统沉积薄膜硅材料 | 第16-18页 |
| ·过渡区材料的生长模型 | 第18-21页 |
| ·硅材料的测试 | 第21-25页 |
| ·Raman光谱 | 第21-22页 |
| ·光敏性的测量 | 第22-24页 |
| ·光学带隙 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 太阳能电池基本介绍 | 第26-34页 |
| ·太阳能电池的工作原理 | 第26-30页 |
| ·半导体的光吸收 | 第26-27页 |
| ·光生伏特效应 | 第27-28页 |
| ·太阳能电池等效电路 | 第28-30页 |
| ·太阳能电池的主要性能指标 | 第30-32页 |
| ·影响电池效率的因素 | 第32-33页 |
| ·太阳能电池性能的测试 | 第33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 过渡区材料的制备及特性 | 第34-49页 |
| ·实验系统和实验参数 | 第34-35页 |
| ·硅烷浓度与材料特性 | 第35-43页 |
| ·硅烷浓度与沉积速率 | 第35-37页 |
| ·硅烷浓度与材料微结构 | 第37-39页 |
| ·硅烷浓度与材料光敏性 | 第39-41页 |
| ·硅烷浓度与材料光学带隙 | 第41-43页 |
| ·衬底温度与材料特性 | 第43-48页 |
| ·衬底温度与沉积速率 | 第43-44页 |
| ·衬底温度与材料微结构 | 第44-46页 |
| ·衬底温度与材料光敏性 | 第46-47页 |
| ·衬底温度与材料光学带隙 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 过渡区太阳能电池的制备及特性 | 第49-56页 |
| ·P层材料的工艺选择 | 第49-51页 |
| ·N层材料的工艺选择 | 第51-52页 |
| ·过渡区太阳能电池的制备步骤 | 第52-53页 |
| ·过渡区太阳能电池的特性 | 第53-54页 |
| ·过渡区电池和非晶硅、微晶硅电池的比较 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 总结与展望 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 硕士研究生期间参与的研究课题 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
