| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·课题研究背景与意义 | 第9-11页 |
| ·研究现状概述 | 第11-14页 |
| ·基于场效应晶体管微传感结构的国内外发展现状 | 第11-13页 |
| ·微加速度计的发展现状与趋势 | 第13-14页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第14-15页 |
| 第二章 HEMT 及嵌入式微加速度计的工作原理 | 第15-28页 |
| ·GaAs 材料特性 | 第15-16页 |
| ·GaAs HEMT 器件的结构和特点 | 第16-19页 |
| ·HEMT 的结构特点 | 第16-17页 |
| ·二维电子气的形成 | 第17-19页 |
| ·HEMT 的电流——电压特性 | 第19-21页 |
| ·微加速度计的力电耦合原理 | 第21-26页 |
| ·压阻效应 | 第21-25页 |
| ·压电效应 | 第25-26页 |
| ·本章小结 | 第26-28页 |
| 第三章 GaAs—HEMT 嵌入式微加速度计的设计与加工 | 第28-38页 |
| ·敏感单元HEMT 的结构设计 | 第28-30页 |
| ·微加速度计的结构设计 | 第30-32页 |
| ·基于HEMT 嵌入式微加速度计的加工 | 第32-37页 |
| ·版图的探索性修改 | 第32-35页 |
| ·GaAs 基HEMT 嵌入式微加速度计的工艺流程 | 第35-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 加速度计敏感单元的性能测试 | 第38-51页 |
| ·单栅和双栅HEMT 器件的基本特性测试 | 第38-40页 |
| ·栅槽刻蚀深度对HEMT 电学参数的影响 | 第40-42页 |
| ·HEMT 器件的温度特性研究 | 第42-50页 |
| ·基本特性的温度测试 | 第42-44页 |
| ·温度系数的偏压调制效应 | 第44-48页 |
| ·光致发光谱的温度特性测试 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 微加速度计力电耦合特性的测试—研究 | 第51-66页 |
| ·静态特性研究 | 第51-52页 |
| ·动态特性研究 | 第52-59页 |
| ·微加速度计的动态响应 | 第52-54页 |
| ·灵敏度与敏感单元方位的关系 | 第54-55页 |
| ·两种结构量程、灵敏度的对比分析 | 第55-57页 |
| ·频响特性 | 第57-59页 |
| ·压阻系数和灵敏度的偏压调制效应 | 第59-65页 |
| ·静态测试方法 | 第59-62页 |
| ·动态测试方法 | 第62-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第六章 总结与展望 | 第66-68页 |
| ·总结 | 第66-67页 |
| ·展望 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及所取得的研究成果 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75页 |