| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-20页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·AZO(ZNO:AL)薄膜的特性 | 第10-11页 |
| ·AZO薄膜的制备技术 | 第11-15页 |
| ·AZO薄膜的应用领域 | 第15-17页 |
| ·问题的提出及本课题的主要研究内容 | 第17-20页 |
| 2 PECVD实验装置的设计及放电参数对电极温度的影响 | 第20-33页 |
| ·引言 | 第20页 |
| ·等离子体技术概述 | 第20-24页 |
| ·PECVD(PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION)原理 | 第24-25页 |
| ·PECVD实验装置的设计 | 第25-30页 |
| ·气体放电参数对电极温度的影响 | 第30-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 3 AZO（ZNO:AL）薄膜的制备 | 第33-39页 |
| ·实验原料的选择 | 第33-34页 |
| ·衬底材料的选择 | 第34-35页 |
| ·衬底的清洗 | 第35-36页 |
| ·工艺条件的选择 | 第36-37页 |
| ·薄膜制备过程 | 第37页 |
| ·本章小结 | 第37-39页 |
| 4 AZO薄膜性能的基本表征 | 第39-50页 |
| ·薄膜表面形貌及断面形貌观察 | 第39-40页 |
| ·薄膜成分分析 | 第40-43页 |
| ·薄膜晶体结构分析 | 第43-45页 |
| ·膜基结合力分析 | 第45页 |
| ·薄膜透射率的测量 | 第45-47页 |
| ·薄膜方块电阻的测量 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 5 工艺参数对AZO（ZNO:AL）薄膜性能的影响 | 第50-74页 |
| ·引言 | 第50页 |
| ·工艺参数对AZO薄膜沉积速率的影响 | 第50-57页 |
| ·AZO（ZNO:AL）薄膜与本征ZNO薄膜性能的比较 | 第57-61页 |
| ·衬底温度对AZO薄膜性能的影响 | 第61-65页 |
| ·衬底材料对AZO薄膜性能的影响 | 第65-66页 |
| ·后退火处理对AZO薄膜性能的影响 | 第66-68页 |
| ·膜厚对AZO薄膜光电性能的影响 | 第68-72页 |
| ·本章小结 | 第72-74页 |
| 6 结论与展望 | 第74-76页 |
| ·本论文的主要结论 | 第74-75页 |
| ·有待研究和解决的问题 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-83页 |
| 附录1 作者在攻读硕士期间发表的学术论文 | 第83页 |
