中文摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
第一章 基于单分子C-H活化合成联芳烃方法 | 第10-44页 |
1.1 前言 | 第10-12页 |
1.2 有导向基底物Aryl-Aryl键的构建 | 第12-30页 |
1.2.1 钯催化下芳烃芳基化反应 | 第12-21页 |
1.2.2 钌催化的芳烃芳基化反应 | 第21-24页 |
1.2.3 铑催化的芳烃芳基化反应 | 第24-26页 |
1.2.4 铁催化的芳烃芳基化反应 | 第26-28页 |
1.2.5 铜催化的芳烃芳基化反应 | 第28-29页 |
1.2.6 钴催化的芳烃芳基化反应 | 第29-30页 |
1.3 无导向基底物Aryl-Aryl键的构建 | 第30-39页 |
1.3.1 过渡金属催化的芳烃芳基化反应 | 第31-35页 |
1.3.2 有机催化剂催化的芳烃芳基化反应 | 第35-37页 |
1.3.3 微波作用下芳烃的芳基化反应 | 第37-39页 |
参考文献 | 第39-44页 |
第二章 基于双分子C-H活化的偶联反应 | 第44-87页 |
2.1 前言 | 第44页 |
2.2 过渡金属钯催化的C-C键构建 | 第44-62页 |
2.2.1 钯催化的分子间C-C键构建 | 第44-57页 |
2.2.2 钯催化的分子内C-C键构建 | 第57-62页 |
2.3 其他过渡金属催化的C-C键构建 | 第62-68页 |
2.3.1 铑催化的C-C键构建 | 第62-65页 |
2.3.2 铱催化的C-C键构建 | 第65页 |
2.3.3 铜催化的C-C键构建 | 第65-67页 |
2.3.4 钼催化的C-C键构建 | 第67-68页 |
2.4 芳烃自偶联反应 | 第68-82页 |
2.4.1 无导向基的芳烃自偶联反应 | 第68-71页 |
2.4.2 杂环芳烃的自偶联反应 | 第71-75页 |
2.4.3 有导向基芳烃的自偶联反应 | 第75-80页 |
2.4.4 基于芳烃自偶联的聚合反应 | 第80-82页 |
2.5 非过渡金属体系中C-C键构建 | 第82-84页 |
参考文献 | 第84-87页 |
第三章 钯催化的喹啉C-3 选择性芳基化反应 | 第87-103页 |
3.1 前言 | 第87页 |
3.2 本课题的研究重点 | 第87-88页 |
3.3 结果与讨论 | 第88-93页 |
3.3.1 反应条件优化 | 第88-89页 |
3.3.2 反应底物拓展 | 第89-92页 |
3.3.3 反应机理的推理研究 | 第92-93页 |
3.4 总结 | 第93页 |
3.5 实验过程 | 第93-102页 |
3.5.1 钯催化的喹啉C-3 位选择性芳基化反应一般步骤 | 第93页 |
3.5.2 产物表征 | 第93页 |
3.5.3 化合物的表征数据 | 第93-102页 |
参考文献 | 第102-103页 |
第四章 钯催化的喹啉C-2 直接自偶联反应 | 第103-116页 |
4.1 前言 | 第103页 |
4.2 本课题的研究重点 | 第103-104页 |
4.3 结果与讨论 | 第104-109页 |
4.3.1 反应条件优化 | 第104-105页 |
4.3.2 反应底物拓展 | 第105-108页 |
4.3.3 反应机理的推理研究 | 第108-109页 |
4.4 总结 | 第109页 |
4.5 实验过程 | 第109-114页 |
4.5.1 钯催化的喹啉C-2 直接自偶联反应的一般步骤 | 第109页 |
4.5.2 钯催化的溴代杂环芳烃脱溴偶联反应的一般步骤 | 第109-110页 |
4.5.3 产物表征 | 第110页 |
4.5.4 化合物的表征数据 | 第110-114页 |
参考文献 | 第114-116页 |
第五章 非过渡金属体系中Sonogashira型偶联反应 | 第116-134页 |
5.1 前言 | 第116页 |
5.2 本课题的研究重点 | 第116-117页 |
5.3 结果与讨论 | 第117-121页 |
5.3.1 反应条件优化 | 第117-118页 |
5.3.2 反应底物拓展 | 第118-121页 |
5.4 总结 | 第121页 |
5.5 实验过程 | 第121-132页 |
5.5.1 卤代烃与苯乙炔或苯硼酸偶联反应一般步骤 | 第121页 |
5.5.2 产物表征 | 第121页 |
5.5.3 化合物的表征数据 | 第121-132页 |
参考文献 | 第132-134页 |
第六章 结论 | 第134-135页 |
6.1 主要结论 | 第134页 |
6.2 研究展望 | 第134-135页 |
附录 | 第135-147页 |
在学期间的研究成果 | 第147-149页 |
致谢 | 第149页 |