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八面体中3d~1离子的自旋哈密顿参量的理论研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-9页
第一章 前言第9-12页
   ·研究意义第9页
   ·研究现状第9-10页
   ·本文的研究方法第10-12页
第二章 晶体场和电子顺磁共振的基本理论第12-27页
   ·晶体场理论第12-20页
     ·晶体场理论简介第12-14页
     ·晶场耦合方案第14-16页
     ·晶场能级分裂第16-18页
       ·晶场势能第16-17页
       ·晶场能级分裂第17-18页
     ·能量矩阵的建立和晶场矩阵元的计算第18-19页
     ·晶场模型第19-20页
       ·点电荷模型第19页
       ·点电荷-偶极模型第19-20页
       ·重叠模型第20页
   ·电子顺磁共振基本理论第20-27页
     ·电子顺磁共振简介(Electron paramagnetic resonance,EPR)第20-21页
     ·EPR基本原理第21-22页
     ·EPR谱的线宽与线型第22-23页
     ·电子顺磁共振谱的描述第23-25页
       ·自旋哈密顿参量第23-24页
       ·g因子第24页
       ·精细结构和零场分裂第24页
       ·超精细结构第24-25页
     ·电子顺磁共振的自旋哈密顿理论第25-27页
       ·顺磁体系的哈密顿量第25页
       ·自旋哈密顿理论第25-26页
       ·本文自旋哈密顿参量理论研究的思路第26-27页
第三章 八面体晶场中3d~1离子自旋哈密顿参量的理论研究第27-35页
 3.l d~1离子的晶场势和晶场能级分裂情况第27-30页
     ·点群对称下的晶场势能形式第27-28页
     ·d~1离子的晶场能级第28-30页
   ·3d~1离子在晶场中总的哈密顿量第30-31页
   ·八面体场中3d~1离子的自旋哈密顿理论第31-35页
     ·立方场下新的单电子轨道波函数第31-32页
     ·微扰公式的建立第32-35页
第四章 应用第35-51页
   ·(NH_4)_2SbCl_5中VO~(2+)中心的自旋哈密顿参量的理论研究第35-39页
     ·计算第35-37页
     ·讨论第37-39页
   ·锐钛矿中填隙V~(4+)的自旋哈密顿参量的理论研究第39-42页
     ·计算第40-41页
     ·讨论第41-42页
   ·金红石中填隙V~(4+)的自旋哈密顿参量的理论研究第42-47页
     ·计算第42-45页
     ·讨论第45-47页
   ·金红石型MO_2(M=Ti,Ge,Sn)晶体中替位V~(4+)自旋哈密顿参量研究第47-51页
     ·计算第47-49页
     ·讨论第49-51页
第五章 主要结论第51-52页
致谢第52-53页
参考文献第53-60页
攻硕期间取得的研究成果第60页

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